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[問題求助] 請教~關於power on reset

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1#
發表於 2008-3-9 15:19:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近想研究power on reset circuit,% \4 S- z. }* z% I1 j- A" j  p% q
想做一個具有類似遲滯動作的電路
7 t: n' D- y. t# F5 m3 C( N8 F. @但手邊又沒什資料~只知道各大概而不知道該如何下手~
7 g+ F3 Y/ W, l! U
4 c! ?- l7 @( ~1 E6 P6 M: T請各位前輩有做過相關研究的可以給各意見~請大家不吝告知,拜託各位大大,謝謝!!
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2#
發表於 2008-3-9 22:36:13 | 只看該作者
R + C !!!
+ h' J! O4 h! U5 H) D4 ?4 n, OR + C !!!
6 V6 o" E" g$ z" r4 SR + C !!!
3#
發表於 2008-3-10 23:14:25 | 只看該作者
絕大部份都是用R,C的方式來達到power on reset的功能
! @+ ^& H; ~" o% |! m  {7 P2 _5 V另外,我個人是在R,C的第一級再加一個schmitter trigger buffer來增加遲滯的時間1 T& Z' y  b6 N( M" i  H6 n
再來,設計power on reset電路要注意當工作電壓穩定後,其power on reset電路不能有太大的電流消耗,基本上,僅可能要小於1uA的電流消耗(至少我都是作到小於1nA)
4#
發表於 2008-3-11 09:11:38 | 只看該作者
reset 電路還要考慮實際應用時,電源快速開關的反應...
5#
發表於 2008-3-11 17:36:03 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

但是怎样才能做到小於1uA的电流消耗呢?如果电源电压较大的话,是不是用很大的电阻?
6#
發表於 2008-3-12 01:09:01 | 只看該作者
在工作電壓穩定後,從power on reset的輸出端送一個信號到R-C的端點強制拉到最高電位
: n) M, p  ^; J如此一來,R-C後面的buffer或者schmitter trigger buffer便不會有多的電流消耗,所以便可作小於1nA
. ]% T0 p0 B8 h, O7 Z至於電阻,我一般都是用PMOS來代替電阻,把PMOS接成diode connect的形式即可
7#
發表於 2008-3-12 14:55:13 | 只看該作者
多谢。有没有简单的diagram ?方便理解。如果POR电路还需要Vth,不知道能不能做到1uA以下。
8#
 樓主| 發表於 2008-3-13 11:42:35 | 只看該作者
感謝finster的解說' |2 U0 c& U6 _& @

9 L5 a  M/ ]2 v' f但我不清楚schmitt要放在那...是放在rc後嗎?
$ L% H3 Y/ T* Z7 n
6 m# Z% A6 S: a7 L/ t6 Y  ?) O能利用圖說明一下嗎?
, G! Y' z/ m# V8 ^1 ^: C+ U1 h2 D5 B2 F& {+ m  Y. T9 a; o# Q
非常感激
9#
發表於 2008-3-13 13:52:52 | 只看該作者

Power On Reset Circuit

For your reference 1 F6 Z6 m& r) F' ?
RC 後的buffer可以是schmitter trigger buffer
* b3 t0 e3 Z1 g7 s5 P

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10#
發表於 2008-3-13 14:16:48 | 只看該作者
power on reset電路本身並不是非常困難去設計的電路
9 y: R9 }. ~% N1 b, [' P( J附圖是我以前作的示意圖,雖然並不是非常完整,但大致上就是這個樣子
/ ^; K, W" G/ h# w" s" q另外,一般我在rc後面一定是用schmitter trigger buffer,而不會用一般的buffer: R7 C0 Y2 K" D+ T
其原因是要藉由schmitter trigger buffer的window特點來製造絕對的vih和vil,這點是一般的buffer所無法作到的,而這點,會決定你的por會不會正常工作的重點之一

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11#
發表於 2008-9-15 16:01:53 | 只看該作者

關於power on reset

你的c值應該要很大吧??
, E+ [5 [; Y% p- k大概u 級, 對吧?!!
12#
發表於 2008-9-16 18:27:20 | 只看該作者
基本電路技巧, 可以做等效RC, 使得耗費面積可大幅縮小.9 l: k! Z( S& A2 X  d4 q$ _$ `
一般僅做RC會不實際.
13#
發表於 2008-9-17 17:14:46 | 只看該作者

關於power on reset

若vdd 的rise time 是msec級, 且chip 的電容只能容許幾p的情況下,
/ i5 Q9 T9 \/ P9 m9 L3 S! n# }9 p以pmos 來代替R的話, 你的pmos 一定是在turn off 的情況, 9 F6 |9 c) ~; p0 N7 O9 y
因為It=CV, t=1ms, c=1p, V=1V 左右, 那I 一定是nA級, ' r: {6 `8 _; f% z- |, Z
這麼小的電流, MOS 一定是off 的情況.; }- u3 X6 W% c
那你要如何控制這麼小的leakage current 呢?? (考慮到corner and temperature)
14#
發表於 2008-9-17 23:43:59 | 只看該作者
我自己在用PMOS作為R時,並不會只用一個PMOS
( h  Q- u& @* `& _1 y, H) U" d) s而且串好幾個PMOS,Length加大到10~30um,Width大概只用0.5~1um左右,如此一來,PMOS所會流過的電流就會非常地小,當然,這時PMOS要接成diode connect形式還是將Gate接到ground,就看實際情況,兩者皆可,不過都有一些限制
15#
發表於 2013-11-19 22:04:59 | 只看該作者
我想詢問如果VDD的上升時間如果非常緩慢,那麼這個電路不會出現問題嗎!?$ S$ B) X- E& `: n) Q1 Y
因為R-C串聯的VDD與smith trigger的供應電壓VDD是連接在一起的,
5 K; I: V- l. H' }因此smith trigger的VIH並不是你一開始設想中的VIH
16#
發表於 2015-8-22 11:33:44 | 只看該作者
reset 電路還要考慮實際應用時,電源快速開關的反應...
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