弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
# Z2 ?+ V* m! v      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
8 c* e$ D7 h2 u9 b- D    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

+ g5 G9 v$ M1 S$ D9 a3 n, i& O- [; z      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
: T+ i% ~) n7 l4 d( f' C/ w" S    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
3 M# m/ i) X  e! Eo代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
  q$ [$ H+ t! U/ M' F# }/ l1 C7 a! Bo  X  o  X  o
; [0 P; v$ k4 }$ b  v. i$ [2 GX  X  o  o  X
4 }% g+ k# N2 |: h0 b! O! o+ Bo  o W o  o
X o  o  X  X
o X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
4 [1 S% a) L8 K, I* {* o# x/ z4 Y% S- M所以直由公式直觀的算,
# Z6 z* s- Z  O8 l6 \$ S/ w假設gate driver = 0.2V ..
6 f) ^1 j# v2 f+ @3 @# ?/ b, R要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
4 V, S4 Y( ?9 ]; u5 `小弟大概知道意思，
謝謝。