請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
! g! a* r7 |0 m; h* g' I
4 ]5 R5 E- j$ J但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
0 S, N2 M* W/ H
供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化

0 h$ ~0 \& h1 w9 h3 l這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多

9 ]$ s6 H9 Y- k* x0 z+ ONMOS還在0.75左右

# G) R- n3 K$ T6 b- ~

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
8 j- _  c& _! a所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
0 ~) T3 U1 p* g, p7 C一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
! e% l% g! ^# o, P- o. k4 _2 k氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
4 O+ o: W: t& N% K) Q9 Z" N4 o% N- W0 K從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能

- {5 t; {5 e$ r& K# B+ u: K查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦
1 N' X( }1 \3 `
model file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
( j/ m/ [9 k2 l& |$ v5 K; b而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題
" p8 F& R7 y+ C: @; ?, n
% O. R& k6 c2 }"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
" N2 w% o1 `5 [, r; e$ A3.3v 遠大於 0.7V
其實不用太Care
* `1 }' ?. @0 o0 Q" e
VT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

" a2 Z' A, M. B1 F3 k) a/ G% G感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？