带隙基准PNP面积大小如何选取？

zhuxiaoqiong

在CMOS制程中，縱向PNP管的面积有10*10，5*5，2*2的，我们在做设计时该如何选取呢？
* k. [0 y6 S: o! b: A
5 L' v0 u3 S; f- i  j6 C$ i7 g以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap無法將壓差降低  
3 B7 \8 G! p0 T4 _& u6 wBand-gap BJT 如果 layout 不 match
0 k) f# s8 I& \0 Sbandgap電路的loop gain模擬
- O# R$ U7 {% s% ibandgap设计 仿真中的温度曲线问题！！
* f( B6 [* k5 q  {0 ?" {* ibandgap如何提高精度
( f1 _" c! m, c  c! Q! x7 Nbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
: {' z! z8 H6 v4 bBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作

% D7 Q! n& h  ^5 L: n

[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:06 PM 編輯 ]

Oo海闊天空oO

在CMOS製程中的Bipolar Transistor中
10*10,5*5或2*2指的都是Emitter size!!
) U. c3 P4 O' p/ n* C& i5 u% x面積不一樣~~最基本影響的就是Is電流~~
且Vbe=nVt*ln(Ic/Is)
Emitter面積越大~~Is就越大~~
相對的~~VBE就會下降~~
8 y8 w% z8 Q4 e8 U2 a' r但是三種的VBE電壓在corner TT的情況下,
$ D: Y* W. x4 h. B都在0.63V~0.72V間~~
' K* O/ _: a- f7 x8 `因此就看你自己的需求了~~
5 J% ]" ]# L, D5 M; Z
如果有錯..還請其他大大賜教^^"

monkeybad

建議選5*5以上的比較穩 特性也比較好 做出來的IC每一顆之間的差異也比較小

zhuxiaoqiong

Oo海闊天空oO，monkeybad，謝謝二位的作答。
  A0 t% B% A) t$ f
" `9 C  d/ [$ f0 e7 U$ p" Q9 K2 c& \還有點想弄清楚的是monkeybad所說的穩定和特性比較好，是什么原因？三種size之間的匹配度應該是10*10 >5*5> 2*2，但beta又是2*2>5*5>10*10，這種選取是基于這樣的折中考慮嗎？

# ?2 |/ f2 g: T4 q* F$ X如monkeybad所說，我見過的bandgap設計都選取了5*5的size。

jerryhao

no matter select 10*10 5*5 or 2*2, there is no problem since it  just be used as a diode.
- @5 K5 Y6 w7 y5 F8 I% @0 nbut analog ic design is a trade off work. so select the 5*5 sample meet the requriment of area and match.

tony9211

比較新的製程有提供mismatching model後
BJT mismatching沒有想像中的大
也許2x2已足夠