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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.181 n7 l/ U- A+ i. r

. W4 H( q: j- s( `3 K' ^8 B---RUN DRC----------' \" d  S+ p( h6 A3 j
出現error
0 ?9 c% k# o7 L* e' v* b+ N6 Y* e( B6 A8 z: u0 [1 l
1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors- s, T, f# W2 k/ b, j+ J# K9 ~' G
(OD WITHOUT IMPLANT)
! t: L  p* }$ y9 ~9 c2 Q2 b0 ]
! f) B% R5 I. B1 n5 x2.CHECK M1.E.2- 8 errors
- i3 M+ j9 O( M' H  [6 pM1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond5 ?# t5 |2 d5 J! A/ `
C0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite
6 f# c; b7 I$ {; w5 dINT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)
$ h6 a5 F1 B1 j# k& [* r) L; [/ E% i3 w
3.CHECK P0.R.3 -1 errors3 r  l! x0 x$ l0 f3 Z, C& j5 r
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)7 t, Z. c7 P1 m6 f- B
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY6 h, V, i$ Q! C
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print4 i- Z8 k1 q) V% k# f
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND): A) Q1 V: x/ |8 D& T/ ?7 X% P! S
.1 ]: B$ n4 W' |" t0 ?
.
- }8 f% P' }# x/ Y.
: |+ |/ m8 C/ a9 q3 d6 y類似錯誤6 \# A* w' G$ h2 n: R
1 ?7 n* X3 \: X$ F( t
' M3 j" o8 O4 N5 s, {" e$ N+ |4 }6 w
% @/ W# [. w3 F! g
3 e5 i4 T- |" Y+ Y9 R' Z7 {
1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,
4 i* r" [3 p; e' {7 P9 B. I希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?+ b& U/ s% T4 L. e5 }8 J
ex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的; c* \, t3 u( ~" w5 p
2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
1 H5 Q$ J4 d9 ~都是憑經驗
* q; @' w% z: I. ~5 M
, `/ X+ K' x2 T$ |& D) \$ l初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant  I, s* @: R7 r9 Q
2.是左右MT1 extension co 需0.0um3 w3 B# o& q  c- H. Q
3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)- t% u. j6 H, L2 e
我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程6 B% F( ]0 y& k

! B  [) R# \* o# N% v% [' U8 g這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?/ h) d$ p  a8 x
第三個coverage 可以忽略
- H& p1 e+ e" [' \/ k" a要下線時再解決即可
- Q  `( ?! Q& R: L" z3 h% L) Y$ q9 A. m4 P1 b
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...; x9 D# _. r+ O4 X, R# c
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表 & t+ z! ^# L) }# h; q% g3 k0 g
感覺您mos是自己建的?1 B2 y6 C! ?- W/ U
第三個coverage 可以忽略- ]# W, D/ F2 l. F
要下線時再解決即可
2 Z$ x6 u" q& o/ o) R) J8 r/ v  @& P- U2 Q+ c
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能..." ~" ?* O# Q  ]
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了

! K$ Y5 a( o: Z2 x4 C( H  Z
1 ?; Z% C* g4 A  L
: R9 x& B6 D: M. U8 Xmos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣
- k  ^8 h; F" q0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um; I# Z- W4 R9 A$ k0 k9 F9 X
感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um
6 N" ]% _; h( W2 m# r. `" s0 T/ g=============================================
& \1 R0 D2 f+ \+ I3 E  Q4 g! _6 e; P今天cic 有開放線上e-learning
" f" {0 {! b- y& F: l. v% X' k趕快詢問您們lab的管理員
( j3 s& \& D8 m$ e) M  U看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)
8 F$ U+ N) w9 p/ F( ?* m裡面有教laker、full custom design concept  a7 u' v0 G. @! ?& l) }2 v
亦有hspice,都有一些不錯的技巧: A( U! i  |( }" j8 @7 T8 C5 ]* b
要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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