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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › ESD/EMI/EMC討論區 › how to choose the resistor value of gcnmos
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[問題求助] how to choose the resistor value of gcnmos

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scy8080
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1#
發表於 2008-3-20 15:10:15 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.2 L% T' d4 o5 n1 {3 D+ }+ h/ }
: H! s  w9 Q- X3 R9 I8 R4 E

# B5 B% @/ u! j/ ?6 \& p- bin the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
2 B- Y1 N$ c) ?& `0 l# ~- `7 n5 o2 n) l! Z  B" z/ t7 g3 C* r
thx3 T" W% i, g) E( q
2 T  U# k' B' q+ ], A
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

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2#
發表於 2008-3-20 17:45:04 | 只看該作者
Sorry my engilsh is bad, So i write chinese; [2 G6 q- e4 ]) F7 s& g' Y. `# W
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大  z& D- C* M' {+ t
如果要用精準的話那建議採取poly電阻6 F5 \  A: S: h8 |7 S+ l+ I* e& n

; J6 d2 @& r0 c9 \  t以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
7 C. r" A2 C5 Y1 v; g8 R% C( ~) t  _以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r8 z. ~: ?* k& O# H4 t. {: @
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
8 b. z3 s3 T% o9 n0 z
- B3 r' \/ u2 R4 h* [參考看看囉~~
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laurence
3#
發表於 2008-3-21 22:39:19 | 只看該作者
What do you want to know???
, a8 i' g3 U/ e7 K4 [  J6 J2 U, E- \GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
+ i& O( f7 l' ?& `GCNMOS not look like your picture circuit...5 g$ P; D$ X& ~2 n1 l
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
4 q2 f9 C. p% r- l" C: q* H& K4 RNormally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
* N# \' q4 J3 B( A9 o+ z& C5 g
" N3 x* N2 P+ s1 T3 m- @For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...
6 U  D) \  j* I  ?
  ~4 Y0 @' m; d! o- m. ~BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.
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4#
發表於 2008-4-12 01:01:28 | 只看該作者
How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
" K" J. b+ S7 E0 sDoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?) l; x# O. `9 _( Y" d( m
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp. 4 ^, G, Z7 `8 x
Any idea to exchange?
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cthsu1
5#
發表於 2008-9-8 23:17:17 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別) M2 N6 `- V6 t) ~+ K$ o: a
大面積的話  GCNMOS 比較好
7 p; S3 t: O/ L( Z0 `( C7 w' P4 B但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電
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6#
發表於 2008-9-22 12:58:56 | 只看該作者
請問一下,關於GCNMOS ,* z0 c- O# g4 `& x; V
Power 會動的很厲害的話會漏電.8 q3 i/ C# F  o2 ^3 V7 }

: J0 ^4 }5 i5 b/ @是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
4 @1 g' J, H6 W9 }6 P. f那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
3 u7 S( ~, y3 T: W3 w7 e; ], L麻煩請解惑 ,謝謝
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7#
發表於 2008-10-23 10:11:42 | 只看該作者
原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表 / x7 w& C+ d3 `+ @5 s4 V" ^8 w0 }
請問一下,關於GCNMOS ,
+ _+ |, P; @/ O$ u! J  J: sPower 會動的很厲害的話會漏電.0 j8 [2 V" w  o1 V1 J4 G- p

" [  U+ W  `  E' r# s9 v5 Z! E$ A是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
: @1 C  P8 s2 t那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??7 T1 {0 r( s# S2 d
麻煩請解惑 ,謝謝
& J0 W- Z+ C, w1 E: {, D8 `3 J& v

0 w- r1 P$ X. O% ?. T是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on
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scy8080
8#
 樓主| 發表於 2008-12-4 17:40:45 | 只看該作者
原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表 $ F0 m, g8 D2 X2 v) C
What do you want to know???$ ]& p0 Q" g6 i+ y5 |
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
+ }( Z1 L; W0 u6 {; x8 W$ zGCNMOS not look like your picture circuit...# a7 t6 t0 l- e4 v
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
0 y- g% M) J; w  LNor ...
7 q+ }; d% f. T

3 H) Z" I- s  H  e$ ?% }0 k8 C8 T不知道你使用的是什么工艺？& _$ g9 G% q1 k& f3 r6 ^
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？# z) |1 I. G8 \# l/ v
/ j! x/ |1 a5 q! _
是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？
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9#
發表於 2008-12-4 20:49:44 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
* u1 Q+ U/ @" ]1 c' h3 E* i) I" r& d: U. r( J1 n0 E3 Q. {1 ]
延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！
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wph123
10#
發表於 2009-3-24 01:50:19 | 只看該作者
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