spi 如何認到LDD MOS

腳踏

spi 裡面有LDD MOS
要如何描述
/ a' B6 L- Z# X; o# w例如
一般 的MOS
/ y  j. C* ]9 b1 r& b; z, AM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
6 A# K1 M& _, \  i8 Z3 A
LDD MOS
( U0 ]+ H& S/ `M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　後面這裡要寫那一些

才會讓ＬＶＳ時認到ＳＰＩ裡的ＬＤＤ　ＭＯＳ

qetuo852

不好意思...我想請問一下
4 J/ B/ W  |% y; K大大你是在問問題 還是 分享??

假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

一般 的MOS
* G8 I  t7 F! v6 }% tM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
4 {* _% W. h1 }  z/ Q% m" p4 R
LDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  後面這裡要寫那一些

' q/ w/ q+ o& I) A還是...??

如有錯誤..請糾正一下~
( }' K$ a; H7 K' _  e1 @ㄧ起分享學習，希望有幫助到
謝謝

腳踏

原帖由 qetuo852 於 2009-3-20 02:28 PM 發表
% f5 a$ L' D  u2 G3 g+ v- ]不好意思...我想請問一下
0 B4 E( X, k2 J" D3 r大大你是在問問題 還是 分享??

假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

/ m6 O: M/ R. k) }- N一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1

LDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  ...

, s6 N& }( K4 L6 K
這樣子的SPI在DRACULA執行LVS 不會認到LDD MOS 所以才會上來問

m851055

是否Dummy layer未繪製，道致未認出LDD MOS

skeepy

MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
LDDMOS是啥東東？DMOS倒是有用過。

m851055

一般 的MOS
  {$ I) \- P# D% zM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1 -->PMOS
: }. J9 M) n! k) p- w( Z+ F# `
7 Q* {; r* z% [( mLDD MOS
# _# ?! N! m) ^+ R/ ?M1 xx xx xx xx LDD vdd vss m1=1

linger809

我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的，如我們的pwell一樣是運算齣來的。

wiwi111

原帖由 linger809 於 2009-3-23 09:35 PM 發表
我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的， ...

你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
) [# e, o; a- T. R4 h8 f旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
4 ~4 z+ w3 e) U, SNA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLOBAL)那須加 .LDD 宣告
0 F. e1 x7 T( g$ C& Y0 a
[ 本帖最後由 wiwi111 於 2009-3-23 10:04 PM 編輯 ]

腳踏

原帖由 wiwi111 於 2009-3-23 09:58 PM 發表

你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
5 q; S+ _  x9 X# L( r" a這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
NA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLO ...

4 T6 H; Z  ?) f: W0 {/ O
試一下在SPI裡加上宣告*.LDD
就可以認到LDDMOS
謝謝大大的幫忙

moneling

更正上一則的回覆~
剛剛去查了一下 使用者手冊,發現有錯~ 趕快來更正一下 ^^"
請版大~幫忙把上一則刪掉,謝謝啦 ^^
4 ~4 D1 }* ]! L, N& {
" R% r) d: y7 ^  q3 R1. 需要在 spi 檔內加入  
6 P9 V) |* s# a% m3 y( K2 j; [*.LDD

2 需把 spi 檔內的元件的名字加入 $LDD( )
ex . M1 A B C D NMA $LDD(NMA) W=1u L=1u
$ T4 |+ f+ Z; f/ T0 D
3. lvs command file 裡也要做改變
4 U; g$ m  y# n, S以 calibre lvs 為例: lvs.cal 要把 DEVICE MN(NMA) 變成 DEVICE LDD(NMA)

LVS SPICE CONDITIONAL LDD  YES
DEVICE LDD(NMA) asy_nmos ploy_mos(G) diff_S(S) diff_D(D) PW(B)

4.簡言之在 lvs 的LDD元件就是 MOS 的 Source/Drain 不能互換
3 k" H; [4 z' {: X1 y4 @2 e  ==> 要注意在 DEVICE 裡定義的 S 和 D 的位置 --> diff_S(S) diff_D(D)
  ==> 它不像一般的 MOS S/D 是可以互換的
8 x( U& K1 w9 D5 v+ i: T' e  ==> 通常使用在非對稱 MOS
  在這邊的元件~也是製程上有LDD (Lightly Doped Drain) 的元件