請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
0 n9 }8 \5 r( N- z$ f使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd

因為先前看過幾位畢業學長的layout
他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
: K: C- y! o6 i" P3 A但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
3 r2 B, O) i6 h7 }5 @而是另外一個VDD比較好

9 y  P  G6 c+ c% v, m+ @5 D謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
deep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
8 j; ~9 q- L& p: V但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。
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