|
原帖由 alai 於 2009-5-5 09:28 AM 發表 9 n$ S* _& s8 `# D0 L( P: K8 E% D& D
畫在NWELL�面,就是你畫的下麵那個圖所示。。。。。。。。。。。。。。 . a; \: ~. f' w8 r( L. S2 D, e
$ A. G- X. Z8 C8 h9 e
1 c: r8 y" |5 R) M
如果是劃在NWELL里面
& w! e7 s, z" S" O# |3 n2 f
( q1 D: U% G* |9 K/ _" ^9 w* ?3 \哪我的看法是,雖然有隔離噪聲的因素在里面。但是更重要的因素,要去看FAB的layer generation file了,很多時候,由于不是所有的層次都是畫出來的,比如LDD是靠幾個drawing layer產生出來的。, G6 I# Z% B9 `& S% g5 v# [
所以畫在nwell里面的ppoly電阻和劃在襯底上面的pploy電阻的阻值很可能是不一樣的,這個和FAB有關,而這才有可能是制定這條規則,讓ppoly電阻一定要放在nwell里面的重要原因。, ~5 ]4 m, i7 }! v- C; l
3 B+ v' }* S+ z( ~9 }至于噪聲,如果不是高頻的應用,由于ppoly電阻是放在STI上面的,哪么厚的氧化層,那么小的電容,所耦合上來的噪聲,我認為和電阻本身的噪聲相比,是微不足道的。 |
|