用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
4 W4 i: e5 g/ \' w, F) Y  D
感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
  d7 a6 M; g) l( O; L, x9 A+ ooxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
, O' m/ P8 v/ q可用軟體模擬出C-V曲線,
$ P2 g, A2 }; `/ f/ z6 YBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
) G; i# `* p/ l) E. g/ k' q  K5 @% zspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
5 g1 _8 ?" T1 j- ?8 v. p+ o6 @使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
2 H$ `% I  n2 g# }5 t4 p4 ^* S" }
哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
- O6 @5 H7 n0 Q# R# Q3 X1 Q( m8 ].option dccap post
& q8 _0 f4 g, A/ _& x- E# x.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
( a+ b$ r3 l9 O  n9 ~....
.....
" O1 @( B1 V3 x- L' s& @( J4 ^: C.......
3 Z  B  ]- n  f$ K.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~

對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
: \: K# M" n; K( M( y而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

/ U; N# ]; n* S7 e# {2 Y$ r% l! H比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值