带隙基准PNP面积大小如何选取？

zhuxiaoqiong

在CMOS制程中，縱向PNP管的面积有10*10，5*5，2*2的，我们在做设计时该如何选取呢？

以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
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* H$ n$ c1 a3 ]/ e1 m1 v* D5 oBand-gap BJT 如果 layout 不 match
: p$ f4 f4 z& ~, Z! q3 W" s, q: w, Sbandgap電路的loop gain模擬
8 [* U8 ^& S$ A4 V+ Qbandgap设计 仿真中的温度曲线问题！！
bandgap如何提高精度
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
4 A) y0 [% j( }7 v$ k6 f

2 J6 \' f3 ^8 Y& j  o/ v
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:06 PM 編輯 ]

Oo海闊天空oO

在CMOS製程中的Bipolar Transistor中
10*10,5*5或2*2指的都是Emitter size!!
6 V8 D# J! {% ?+ F3 U7 T面積不一樣~~最基本影響的就是Is電流~~
且Vbe=nVt*ln(Ic/Is)
Emitter面積越大~~Is就越大~~
相對的~~VBE就會下降~~
但是三種的VBE電壓在corner TT的情況下,
都在0.63V~0.72V間~~
因此就看你自己的需求了~~
3 C8 I" ~3 q& m" M& q" x4 L
: M' m0 f* L3 y! _如果有錯..還請其他大大賜教^^"

monkeybad

建議選5*5以上的比較穩 特性也比較好 做出來的IC每一顆之間的差異也比較小

zhuxiaoqiong

Oo海闊天空oO，monkeybad，謝謝二位的作答。
- L) }# S+ V4 ~' S' L# c/ `( `
還有點想弄清楚的是monkeybad所說的穩定和特性比較好，是什么原因？三種size之間的匹配度應該是10*10 >5*5> 2*2，但beta又是2*2>5*5>10*10，這種選取是基于這樣的折中考慮嗎？

如monkeybad所說，我見過的bandgap設計都選取了5*5的size。

jerryhao

no matter select 10*10 5*5 or 2*2, there is no problem since it  just be used as a diode.
but analog ic design is a trade off work. so select the 5*5 sample meet the requriment of area and match.

tony9211

比較新的製程有提供mismatching model後
BJT mismatching沒有想像中的大
( l& W, ~; T& [& F1 S" v也許2x2已足夠