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[問題求助] 請問在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好

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1#
發表於 2009-8-28 13:50:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容,& f( u; s8 E( W3 I: q
請問各位先賢在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好
& W( o  Z+ o5 \
( S% a' u9 @0 s5 ~% b2 u: h* @! e* DP/N MOS 如何達到穩壓的效果

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2#
發表於 2009-8-30 22:37:18 | 只看該作者
从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.
3#
 樓主| 發表於 2009-8-31 13:25:36 | 只看該作者
嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.+ C8 G9 L. a9 e$ m* k% m
是否就應用 pmos 電容,
, P5 O. p5 O  [/ t0 D因其include 在nwell 中,
6 J, r5 _; g, f沒錯DRC RULE會較大,影響size.; B2 D! q! M% l4 l7 k2 r9 S; ~5 _% z

1 {1 ^0 Z; ~/ a
8 Z3 b) M8 q" G所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎?
4#
發表於 2009-8-31 17:19:13 | 只看該作者
个人看法,仅供参考:* ?( X6 ]- e5 \3 @3 K6 ]) M

' x: r, s) N. a7 I( }; d) a( M用PMOS做电容的时候,PMOS的NWELL与衬底(p型)形成一个反偏二极管,当地线上来一个瞬间大电流,能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然,在栅极上加一个小电阻是常用的做法。
7 f6 I' s3 B0 W* }1 d0 N7 R; U7 R- m3 X& C& U8 H1 E: Q
但是PMOS的电容比NMOS的电容小,如果不考虑ESD的可靠性方面,单从电容滤波方面考虑的话,NMOS应该比PMOS好~
5#
發表於 2009-9-4 13:18:51 | 只看該作者
同意樓上的看法
& b$ o2 ^& F- n8 z以原理來看( A5 J2 Q2 M0 Y5 ]2 {4 g: t8 Q
PMOS 的載子 是 電洞9 [0 e5 r% H/ A) J* C+ p
NMOS 的載子 是 電子
7 h; ]) L# p& {" i4 X' R" l電子移動較快0 X7 _2 @8 I8 b/ G( t
如果無其他考慮
, L) v' A: g% X, P: A8 UNMOS 似乎 較佳
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