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同意樓上ㄉ看法0 n+ F# a6 R+ q% ]& ~9 l
粉多時候是經驗值
/ G$ F1 q t7 F- q! D! {' jESD mos6 X( A+ }. J; m; e
1. poly width 選定+ w3 @4 K, h; J8 Q4 I
2. cont 到 poly gate 的距離------- 通常是 一般rule ㄉ 2-3 倍左右 `% J6 A3 `' } g1 p+ x! a7 ], k
3. cont 到 od edge 的距離 ------ 通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:14 e2 y0 N) I" A$ `% X: ?8 P
4. P/N mos 的距離
, d* x& U) b% z8 l, ]2 L+ v4 Y8 d# a$ ?5. ground ring width- --------- 通常是2個VIA 以上的寬度
1 b T* u: T* p5 N9 T9 x# b; h5 D6. 是否加 dob-Ring --------- 通常是一定要ㄉ
8 u, p: q- n% o9 X7. P/N mos width 的選定
" h+ d+ X9 {' c; Q3 e1 t5 G* _+ N/ b" b 補充一點% [) X4 p6 J( `9 f& e. E
8.看製程 決定 RPO or ESD LAYER ㄉ使用 |
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