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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。9 [5 x2 r- e1 |8 e2 ~8 p
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:5 S& M; y- D6 o6 t3 S9 E- L
1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
- t, h( G# O4 r$ T. y3 o' t2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到; _# d' A. h& P' P7 [! t* R* P
3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧! q8 A7 L* Z3 R3 u2 ^% S* v& G
4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~: S3 n9 ]7 H+ w5 n  b% r; s$ r5 f9 a
2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~9 O+ f0 [! J; q% p8 I: e% @
3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~$ w- W; f5 t9 @- _) O
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
4 T6 f* p3 ]' O0 C8 A
7 y: M/ V. M& ~( f6 {$ R[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子5 U* y& T' ]( S4 w' W0 y" V
非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
  |& z& c3 W7 ?6 k( r) w1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?1 n9 T8 m; X2 O! k
2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸
6 c1 L1 N; {8 G) p! h/ _$ v8 O3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意( Y/ J' q) |0 W6 a% x9 ]9 k
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712 ) t- w+ l. {/ ~( p3 F

6 W: l: x7 c0 X7 {; R0 k% c: D1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。1 O# G4 P7 N# {2 K
2。一般會比pad稍為小一點。
, n! u3 g# ], S" O; w( D3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。
7 V% y  M* H/ S4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;3 X. J% D) u! ~7 N
|||||
! F0 m* M  ~% N% t2 b1 p2 |/ a|||||4 O1 e2 N; G1 `, c  A9 k" p5 X4 h
|||||→普通
$ ~; s7 C+ b  J1 K+ u1 C; v: Q5 ~* |. m  y$ T) B2 m% g# k
|||||" k3 s1 B0 T) Q  e9 c
≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包
- x! k2 z! h" g, w谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手& i  l) t! J; N; a
這些專業知識
0 o- H, F: ~" ^5 M8 f4 S對我來說* Q( k0 C) E6 j
是非常有幫助的! E4 d0 x$ `' M. F& U0 a
感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手2 J$ f- v/ Z1 b/ K
這些專業知識" i# u8 X8 ]8 V1 G5 P
對我來說
$ G  Y; B' D) J7 B% F是非常有幫助的
* \5 {; p0 T, e; k5 J- B; O6 ?感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
% H# W' p) H0 [! g" ^先學下來以備不時之需囉
3 i/ y8 y  E6 J* h& Q! r, N謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下
2 m: e( ^- l& @哈哈哈* b; L0 N& ^. S
谢谢分享
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