請問附件圖片layout圖

gwuel888

請問各位,以下有些問題須大家幫忙
1.有人知道附件圖片layout圖,是MOS還是BJT? 或是另一種元件?
+ q6 I: y! j" h2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
3.MOS電容LAYOUT有參考書籍或是建議以供參考嗎?


謝謝@@

小包

長得有點像 lateral pnp的BJT，它只有2顆嗎??
8 O5 C$ o( |4 f/ v1 @* I1P2M只能用一般MOS當電容吧~
; X& _, r. e" }. q4 x: c* HMOS當電容只要把S/D/B接到一起接VDD或GND就好了~

[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-3 11:00 PM 編輯 ]

motofatfat

2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
既然是  1 P 2 M  哪來  兩層POLY ?
光憑這樣 粉難看出來
也有可能是  2 層   Metal  MIM ㄉ  電容
3 o8 v. S2 c. j- N" a2 S. Y" a可以說明一下  這張圖是 Metal 層  還是  去掉 一層 METAL  以後ㄉ 圖

gwuel888

附件一層METAL 1+ POLY 與只有 POLY 圖片

gwuel888

因為之前我嘗試有畫過電容,但到了LVS 時就有不知道要如何做?
' z. }" W& i! B" b請問一下
* r; U  {# p& d$ w* S5 d1.那mos電容SPICE 語法如何下
是==> MCAP  VDD!  NET2  VDD!  VDD!  PCH  W=2u l=1u
2.容值如何知道??

kazamigai

看來像是顆mos，中間一顆cont應該是D端
& B6 P3 x4 g1 z5 H" U/ Z外面一排（5顆）cont應該是S端

應該不是mos電容，看m1跑法並沒有把s與d接在一起

小包

回復 4# gwuel888
# @1 z8 w8 h9 F) o
. F0 r2 r; N  n( f( l2 }一般mos電容的語法跟普通mos的寫法一樣，容值要請rd去根據製程推算。
看到你po的metal1的圖，這個東西上面有4個接點，我想他真的是lateral pnp的BJT，因為這種架構的bjt是高壓製程的bjt，emitter跟base是同一塊od，中間圍上一圈poly來控製emitter跟base的關係，最外面的od才是collector

小包

回復 7# 小包
# q- Z0 Q" P$ p

不過這種bjt現在很少人用了~有些原本有做的fab廠後來也都不提供這種元件了

kazamigai

但我覺得不太像是BJT，因為所附上的圖有用到poly，在我的記憶中似乎沒有BJT有用到poly

gwuel888

1.感謝各位抽空答覆!!
+ F. }+ T- ^( K2.此製程1P2M 0.6um
4 a8 N8 x# T, z3.附件是電容畫法結構，小弟才疏學淺 想問說此電容會是mos電容嗎?

小包

回復 9# kazamigai
9 c, T( `: X* r, M% K
確實有這種bjt
只是你沒有碰過
% Y5 h+ J; r7 z! G% Z它叫做lateral架構pnp的BJT
: b6 z5 A; E6 ^- {" ?為高壓製程，非常少人使用
我也只lay過一次
7 N' r2 I2 _3 M( v有本書上有介紹這種元件
"analysis and design of analog integrated circuits"
* Z- Y) Y: T7 ^; fISBN: 0-471-37752-x
page 109
你去看就知道我說的東西了

小包

回復 10# gwuel888

0 t7 w3 C' V1 a2 V: O
你po的圖不是mos電容吧~~
. v) {# k' ]/ R8 C# h看起來比較像是PIP電容…所以他不是1P2M吧
& b$ D* J, L5 d3 }& n因為MOS電容長得跟普通MOS一樣
只是SOURCE/DRAIN/BULK 接POWER
GATE接訊號線

kazamigai

按照給的圖形來看，應該類似於此圖。
中間cont為Drain，外圈一排cont為Source，
9 P: t7 A5 X: u" ]8 y2 {在poly上的cont為gate，會用此劃法的情況下是想在有限的面積裡，求得最大的w值
7 H3 P' g- A  a! ~1 R& C這是小弟的經驗談（因為有畫過像此的劃法）

kazamigai

附上圖片

小包

回復 14# kazamigai

有道理~
我也lay過類似的mos
7 F2 M! G) i, S) z雖然長得不太像~
7 h* `4 {3 K5 k# Z5 _5 T6 _) h也是一樣用poly繞drain一圈

CHIP321

同意kazamigai的看法，做MOS解釋要好些，如果能確認是1P2M的標準MOS製程，那么應當確認無疑了。

pkf690801

thanks..............................................

shangyi

雖然我沒畫過...但還是發表一些淺見
4 }" z1 k1 i+ @& ~中間那圈有接contact的應該是thin oxide
" U9 x9 J) ?! Y+ R( X外面跟它相同顏色的應該是thick oxide
有點粉紅色的應該是difusion
! G( k0 O0 ?! u) a2 [9 i0 z內圈應該是drain 因為周長最小 雜散電容最小
4 r' T* o1 K! V3 {5 c2 g外圈應該是source
- t: a- r: U1 |! N此種mos layout 雖然在相同面積下會有比較大的 W/L ratio
' \* x! g2 Q/ `0 B: R9 c但ratio值難以估算 所以比較不精準
比較不適用於要求精準的類比電路