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[問題求助] 請問功率二極體/電晶體是使用什麼製程呢?

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1#
發表於 2010-3-24 21:59:53 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請教版上各位先進,功率二極體/功率電晶體是屬於高壓高電流的功率元件,必需使用什麼製程來做呢?
0 p6 R4 Y& Y' G+ k' R# {隨著電流電壓規格的不同,是否製程也會跟著改變呢?
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2#
發表於 2010-3-28 14:11:09 | 只看該作者
可以去翻翻製程的書
5 K+ `' Z8 p' a; V
, C7 t. {0 C3 w, q/ L  X  E4 ]: y' Q或者是製程文件6 B9 X' E: ^% ]/ l; v9 r
/ z3 t2 ~4 A/ }* d9 W
再不然把元件書看一看可大概知道是用那些製程完程!( K/ W' W3 P) N  r
2 q, c  [2 B/ Z5 c- V" D4 s
然後以模擬方式去找嘗試
3#
發表於 2010-3-29 12:47:28 | 只看該作者
我们实验室有用.13的锗硅工艺做的
4#
發表於 2010-3-31 08:34:29 | 只看該作者
工艺文件不是都有说明的吗??3 v( R3 ~9 y+ m1 |
都会有个process flow* F+ Q! ^1 C: c
: R" j/ L! y; d5 B' G
CMOS中功率器件只是多了个层次或者改了些规则而已啦。。6 B( ^: w+ R  [- O) m
比如提高栅压或SD间距
5#
發表於 2010-4-26 18:16:00 | 只看該作者
好像是BCD製程?$ z& \: j- f5 h3 n$ i5 r# a, z) n
雙載子CMOS高壓製程?
) b+ {7 N4 ^, l1 M您可以再查查看
6#
發表於 2010-8-11 21:54:22 | 只看該作者
看看电子工业出版社的 半导体制造技术吧!
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