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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 7 |3 A7 Y& e+ ^2 x4 i
. P  S* |* r+ M. C4 w
: o9 i. D  `) @1 K6 P+ ?6 H
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
6 J& W3 G  J2 e+ X, \查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。
0 _2 a0 k8 X9 W$ Q# c但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、/ z2 h* Y: u/ ~8 X3 v3 G  [5 c' }
迷惑中....9 q2 {" f  b1 V6 R8 o
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?: v) ^' `( r0 N5 B1 s

3 ?$ j- K4 s2 E$ M' I

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?8 B8 K6 ^/ Y; S6 M2 e" ^6 w# s
. s5 I( m8 O/ A# ~/ r6 T  p
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,1 N4 d4 o4 n2 W& E5 O( x8 ?( X4 J
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,, o3 j+ G7 w7 @- P" U
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,# h8 ?& J$ j/ l. o
這也是現實上要考量的. : ~/ |$ {0 ?9 m+ U3 [. K: J& U9 A) Y

9 B( R- f% n1 ]/ I一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe& b# G) d. ^/ ^
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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