deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時
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. i7 h+ Z' G$ O# |' {發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well
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+ ]8 t, [9 ~6 q- v3 F; F我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地
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* F" o6 P2 C  o& f4 r$ F4 |6 k而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它

; b0 ~8 o: P2 U" @; y, R$ h' r在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道
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( N: k/ C2 H  ?% G! I* `' r" ~. V它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地
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6 {$ H, ^3 c+ ]! s: g! B. F- J+ D那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電

& O5 }; z2 a, Z% u路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？
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. E! D; L  F: K& i5 {deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer
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一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？

那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)

$ c7 t2 I6 k& S/ w3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？
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而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
2 q* ], |% M- ^4 v  Q1 L0 H過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
8 h; I& Z5 m$ A+ \  V6 o上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
6 F4 u% e4 z* W  O7 W有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的