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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
7 ?5 S( L3 p) K5 w; C9 T' ?ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
( ]0 V  s9 @; \0 c  Y& z( v$ J- V2 O3 @  v& T7 H
Esd test summary:; Y3 A& `: p3 D' E6 o. A

% o$ k8 \" p( o! AESD TEST
% |* m8 `% _1 w' }# H4 X) r1 \+ H8 ^* z# [% a6 H: W. B

: J' G& m' B0 j& P) @PAD
) l; L0 ~: K2 C$ x4 _  n9 i8 Z* i, U

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong 2 O- [3 C- @. R. a
/ W; G& O/ Y6 F, {
整體佈局( [9 D* C+ j  S" t! j
! f  `6 t- U. t0 H1 R/ w/ k5 X
pad    layout* R- c8 I( s1 ^  P9 k# o% m
vdd&pin 28-38,1  esd protection  ~9 Z# @. o& Q. ]3 w8 c

0 A4 }6 h! d$ }( \pad 39 40 esd  protection
2 h# K& U# \3 m5 W# y  K
$ d! i* n$ A' Hgnd &pad7-14 esd  protection
9 b2 G0 L' R, q

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 : J6 H  \5 r$ R
/ T: D* A* X* t4 U# B
6 \1 P+ r* n% \; `
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 7 x/ {0 V6 o/ M
5 Y2 c% P: r) l, `
7 r2 y) y* |: L$ `
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 8 h8 c7 n6 c: H% q& W7 ~* f
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
! U3 r1 z  m- J5 L9 [
1 B& r2 R: D/ r& R
' w& s2 u& v) w$ T   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
9 d- Z+ B+ v" c& F8 _4 l6 w4 a我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 ! Z9 x5 P3 I1 k. A- Z

3 i4 e- N9 K4 a+ X2 S
8 J# q! N1 [% I: |7 G2 d    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 - l" S* K* u0 ]! B+ L5 _
& l: ]' \9 w7 t3 G
回復 12# jian1712
1 u4 p/ v( i0 r
7 s5 @9 P' r. o1 ^3 G" Q$ u9 k* E- Y2 R& Q) k1 n
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。+ ^' F' r$ L: M: D) g8 c( J  n
% e5 U+ X- y8 Q/ [5 m4 \7 _

  P' P# [, }1 a' z% g- F  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
9 b$ @# W, o6 f" Y5 B# g. O- G$ u! \8 j- r8 O0 C( c  ?
2 G$ y4 J( W- Y, w& v, L/ z! z
   
# Y$ h) p$ r! f1 D; a9 Y1 k4 T8 [9 g5 p
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun 7 Q3 J' @& Q0 Y- n' X

' B" [5 U( q1 p* z6 @- ~5 s4 E1 M$ [" l7 ?3 F7 d1 W# K
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
* |& P& N: ?1 W- Y8 ?若PAD沒串電阻, 就直接到gate,( F: g: U$ ~8 w1 g, _' p
這是相當容易造成gate端燒燬,
# `; U# O" H/ J9 N# Q給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
. G9 c! L% S2 G) U而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
, N' w# X0 [" a2 j如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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