如何處理這3個DRC error

ckboy0928

請問這3個DRC error大概是什麼意思?那該如何解決?謝謝
- y  Q  a+ E& P9 v- ]- Q+ D(1) LV device must be isolated by NBL combine with HVNW
LV_DEVICES NOT INSIDE NBLi

9 [. Y8 r4 c7 {$ s/ r4 }) L(2) LV device must be pick up with HVPW and N+OD ring
LV_DEVICES NOT INSIDE NPODR_HOLE_NBL
& a- [; ~$ a1 T6 Y5 ~, N4 e) ?
(3) LV device must be surrounded by HVPW and P+OD ring
6 H; ]' y1 ?# R  h( a; sLV_DEVICES NOT INSIDE PPODR_HOLE

ONLYFLYSKY

試問，這是那家的製程規格，這真的不好懂

dendeicide

看上去感覺好像是，數位跟類比的一些錯誤，
  x6 K1 v9 K& t% [' e- {/ B4 D0 V
如果沒錯的話，以小弟的猜測，

你有可能把電路整個都是用類比的訊號，
3 D9 D- v: Y; z, A3 T
7 M& [& G8 m! b: B2 r/ W3 i. S& ]  |類比跟數位的訊號要分開。

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
7 u9 g6 U  k+ }. B
" L& F9 b" H% e& h" Q3 gLV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试

LV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

h2off0202

目前看你的DRC VIOLATION 應該是HV製程的VIOLATION
第一個應該是指 LV MOS 須放在NBL內(簡單就是用NBL做ISO)
另外2個要先了解你是哪種TYPE的DEVICE所發生的VIOLATION
! j' r7 m4 a: a% V- o; H% [才有辦法了解原因為何
+ n& x% t; U. ]% E, T
若是有誤解的地方還請多多包涵

linanhung

看起來這個technology 的 LV device 是被 HVPW 包圍，在由 NBL 由底部經由 HVNW SINKER  Isolation 而成。
. f4 Q2 d/ r3 n+ i# R0 D8 c; W; Q( C檢查violate 的地方是不是沒有被這幾個layer所包住。