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[問題求助] 以.18製程下去劃~90奈米所出現的錯誤

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1#
發表於 2011-4-6 20:14:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 ziv0819 於 2011-4-6 08:19 PM 編輯 4 w/ s+ _- p, M, h7 Z$ A
6 H' ~5 ~- I3 F' Q$ N
3 u# X& P2 q- w, {7 U& R3 s' }: G
不知道有沒有大大可以幫我解決的!0 q" g* r1 V8 @2 G6 I) v
因為沒有製程說明書~
9 k6 h, \9 a* h, l* M  x8 }而且之前畫.18都正常!
$ R- d3 N- T* V+ m, d% r2 v用同樣的方式加大元件距離還是出現了一堆錯誤!
9 _) ?1 k) f, `4 _) z想請大大幫忙一下到底如何解除這些錯誤!
8 S' N6 _$ ]/ A謝謝大大了感恩!
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2#
發表於 2011-4-7 13:32:54 | 只看該作者
把錯誤訊息貼出來看看
% u6 i; X' s# M  L才知係瞎密錯誤: Y6 E* ]8 I; s. m9 M& Z; D3 B: G
通常是 cont via 大小 不同
3 v% h, S0 b  Z' K/ H大 metal 的 space 要比較大 等等
3#
發表於 2011-4-12 14:27:23 | 只看該作者
Layout時所需的工具:+ ?+ Y4 X% e5 Q! L2 I; u
: B9 T: D. n' Z2 l7 j9 j& `8 j; o% S6 c
1.layout tool
9 l8 U3 A* E- ~% ?1 n# k2.Design rule (跟process 有關)5 A; w( X  j1 C# f6 H2 m! ]
3.technology file (跟layer 設定有關)
4 \2 n) ?/ b/ V" l3 ]& S7 @! C4.LVS/DRC command file (跟layout 驗証有關)2 Z* A$ h" u( b5 v

! m8 ^# c6 Q2 j  n( W狀況一:
7 x  T/ y8 U, b- a4 N0 E不知道你的問題是出在哪個部份,聽起來像是用process 0.18um的工具去畫0.09um的東西' O+ w# a) J# z3 q

: P  j" \; O: i% u5 A3 p6 Z因為你沒有你需要的90奈米的2. 跟 4. 項 所以無法去確定你畫出來的是否是你需要的size,因& W( v' w5 K8 e7 a( Z
: M5 M* @  h7 @( g/ _, i
為驗証一定會錯誤。2 F& ?( g$ N4 |: L: C' ?& s" n
5 Z& A, ]' g1 y6 Y
狀況二:
7 D5 C3 K0 B$ M; p
2 |" Z3 G/ j( }. m/ v+ |: V如果你有第2跟第4項的工具,但是是用0.18um的第3項,就可能發生layer用錯的情況,因
& `) U; _3 ~! [& A; F% _7 E
3 T9 K& X; O, h$ }為依據各家晶元廠的設計不同,所使用的第3項也不同,即使是同一家在不同的製程上layer
& E' M" T6 \2 o- t- V/ k8 |: s8 y0 l' l# A0 _  t  ]$ S" q2 e! ^
的訂義也會有所出入,此時你就要使用layer mapping file 來去做layer轉換,使你的
' O- `; G, K" i; h, p: ?& n1 M& T" Z- K* V1 T! y; X
LVS/DRC command file能夠去認到對應的層。+ p0 V, f+ f% D0 ?2 J
* l" H6 B1 X- l, _2 R% n  A
Layout 要正確,最好備齊所需的工具。
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