關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
" {1 x- O, W+ N! |! ]3 F3 q
# y  s7 ~7 a2 j' y1 F& W! B, M參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
: T. J' l# Q' [: V+ g" p% N我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
: C$ D6 \1 a3 Q1 Y9 A$ @: f2: A B B A
2 {9 I' a; ]6 ]: Q9 ^9 Q   B A A B
7 ^1 E: p+ N( Q& P1 g* z; c' w對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
   B B A A
/ d8 P; f7 Z4 D- F對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
: v- G. t1 U. z  b: i
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
( ?# N( a- g, r+ O' S# k) f
- h9 z# ^. n2 l6 M3 H9 p6 ~[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

沒人知道嗎?
6 c, F: `9 p5 ]2 [2 u; r; W
7 x  c2 a& y) l; |9 c沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
4 R2 ~) T( L' G9 j: R第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
$ b: {+ ~4 d" ]第三种分散性不如第二种。
. y" Q& k7 r) \) ?0 @! J
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

1 e2 ^4 _. Z8 L' }3 z可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

, a. A  R! j5 L/ w然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

" R* ]& M/ V2 }) G0 B
如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
6 J) ?# f9 N) q: Y5 q5 d$ ^
5 x8 O3 W0 r0 p/ {% ]) q" I主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
7 {7 N( f% _( E, C- U( q* E' F電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
6 y  X' o4 q6 t1 v  b/ `) B一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

  g' Q. j4 U2 b( T! o( z8 C- ?
1 O! ^7 I1 x+ r' `) \: |, V8 k第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
( B( E8 w/ }- y! c0 A如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

/ c! M- ^: a# o; E$ y+ ~1 z# y
8 @9 c% k/ M& P( W1 C* m

% r+ {' Y6 V7 g# ]8 Q                  
                 
請問STI效應具體指？

                                                               
/ l2 Y4 q5 W9 @( _9 J( }' W8 w4 Y                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
0 A, t) h7 b, G, A1 `" d( Q  AB     AB
        x
) I+ Y% `+ _! F% f8 ^4 \$ A  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

如果不共用
　A      B          A      B
' ~7 `) k' h9 D% J5 V/ c. D7 w        x        X         x
8 p+ O+ [: t7 U2 p! N0 f; z, V　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
& ?% g1 K) [, T% s! M3 |! E! Rx1 屬於 common-central
1 C2 d+ m, O* ]x2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
: v- @" O& Q" k4 v兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
. m3 {& A4 C: E
4 Z6 U# w: F8 E6 t0 U9 I$ M( ^
7 K( F2 G3 M- v; m1 |. t; G方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
7 O( l9 z8 e) d3 O% p0 k7 X# A方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
. p' l3 E6 n- ^6 ^6 d我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

    何解? RD不一定正確吧?