Layout Design Rule Considerations：How to set up the Space of Rpoly？

CHIP321

Layout Design Rule Considerations：How to set up the Space of Rpoly？
- Z9 @0 t* l( v4 F6 c1 N$ D
用於製作電阻的POLY間距在LDR中通常要遠大于GATE POLY的間距？較大的間距會帶來什麽收益？是出於PR的考慮or Etch的要求呢？
0 @2 D" y5 M* T: B/ r若是基於精度控制，爲何GATE POLY不做此項有求？

MTK1019

1，FOX 比栅氧要厚，也就是 Etch的时候 接触面是要算立体的吧。FOX厚多少 宽度自然要加多少。
3 U/ v  p# K( ^2，Rploy 是生长在场氧上（FOX），相对栅氧是不平整的。距离大“翘起”效应低一点。
个人的一点浅见，多多指教。

Clemens71

goooooooooooooooooooooooooooooooood