mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

lion小海

mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？麻烦大虾们解释下。。

lion小海

这上面人很少呀？没人发表下意见、、

andrewxj

http://bbs.innoing.com/thread-11820810-1-2.html   在本论坛有这方面的帖子,你可以看看去

lion小海

回復 3# andrewxj

7 P. N8 V) G) E" X& M9 n1 w5 v, m
    谢谢。。。

despair

熟悉ESD也是Layout的基礎。

4 ]6 {/ r1 w$ V/ ~MOS承受ESD的一端必須要能承受ESD大電流的衝擊，所以承受端的R值就很重要
這也是除了會有較大rule以及必須要覆蓋上sillicde block的原因
& A% j' Y$ d. q! G. u, Y! H7 X- }
8 A7 _+ Z/ y2 L除了以上必要因素，部分foundry也會根據需也會在Drain再加入低濃度植入
讓耐受ESD的效果更好
! v" z+ o- e/ W1 i: e" o- D
# U4 F# C: G6 a6 T2 V這是認識ESD的基礎概念，其中還有很多必須要去深讀的
有機會大家可以多交流。