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[問題求助] 高壓製程

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1#
發表於 2011-6-10 18:20:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout
( b; O& ]2 N  r! Y9 ]( j那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
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2#
發表於 2011-8-10 21:37:19 | 只看該作者
感謝大大無私的分享啊0 r0 _1 n: r4 {8 b& R: m$ e
( Z8 M8 U+ |2 g9 m
感謝感謝~~~~~~~
3#
發表於 2011-9-1 10:46:44 | 只看該作者
咦!!~~~我只有看到問題
1 w' C9 M1 z4 x: l* U, B8 }! u% @有分享任何資訊嗎?!
: p8 D+ B$ M# R6 U4 o# s小女無材
  l# r  d2 z5 m0 T3 ?, v看不懂勒
4#
發表於 2011-12-7 17:10:01 | 只看該作者
我勒个去,同没看到材料,为毛会有人感谢大大。
5#
發表於 2011-12-21 15:03:52 | 只看該作者
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
6#
發表於 2011-12-26 18:32:29 | 只看該作者
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧6 P' A- [5 s  ?$ J- D+ r

& R8 h, i% W0 q0 A2 ^: P8 |3 W這就是所謂的國王的答案嗎??XD
7#
發表於 2011-12-28 11:35:52 | 只看該作者
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout
( K  |2 E5 i* l8 r那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...
3 i1 G8 c5 x4 Fb0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM

1 Z- D$ G: Z+ W$ g) q4 b/ J
6 Q+ Q. y+ {) }6 h4 K2 H個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗
  y) @& l2 c& q* K( |1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分: V! i: j/ \; ]$ H9 e
   不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。
9 Q0 t7 Q1 U+ J4 G- S: R1 j! y  L   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分
& X  r  g& Z7 n9 w' h- R    LV
. R2 i, Y, V  V/ E9 x    VbrDS<5V
5 X3 n3 a9 Z0 m+ J* b& c4 K      MV
) I7 i$ \$ V; m; L  ?% M     15V<VbrDS<25V
5 [3 H( h9 D. L      HV
# z5 E2 C1 n+ D3 C- P     30 <VbrDS<45V
8 I8 b  @6 w6 Y% A     45<VbrDS<80V
- `3 N, j( M* u8 |& P" F  V# Z     UHV6 M) C( U! M. x* S8 Q
     80<VbrDS<120V
% P5 L( u( z8 @     500V<VbrDS+ j" j  \, F0 a. I
     800V<VbrDS
& I- \- d% E4 d. V- i$ a7 {4 }     目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。$ A- m  J2 }$ z6 d& J
: \; k9 j0 E5 F2 z6 w
2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃
4 o" @# k5 S, I( \4 _. V   並理解器件的物理和電學特性4 c+ D% f* V& r, u( r6 j
   這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。( j; D; O9 Q5 G
   一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。
( u3 V/ U& j4 u. N7 n1 u. V8 N9 e   如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。) @* p) c5 O% H0 U. O% V
   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,2 n& P, \( W( j( |
   IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。
7 C6 y" ?( v, m/ I$ D   理論的學習,2 l" ?7 e3 S8 Q2 l# T7 }2 r0 \
   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。
; J' g' r! B7 b$ V! N, H0 A" K# G   原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。
3 L& ~" K" {+ U& O; z2 z. Y
0 h* S' X) Y! {3:實踐
4 @( p1 H! j7 f3 c* {( ?) Z$ P8 t8 B   檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。
/ ~$ p; p  U- I& K5 x' U9 H   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有1 \3 n+ ]1 l- C+ t% {
   參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。
! M* b- L% ]+ [. j+ T+ j" S; n0 H9 f   特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。
' P) D5 o% I2 o+ q% j+ ?" ~; ^* A3 Y. d# w! G. q# i
4:Reverse engineering  m. C/ J4 N0 @0 I
    對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。9 v5 Y) c9 ?. [8 d

3 H6 t8 Z, O7 \* w+ k淺見,歡迎拍塼!
8#
發表於 2012-2-28 15:27:12 | 只看該作者
楼上有爱,又学到东西啦!
9#
發表於 2012-3-1 19:50:34 | 只看該作者
感謝大大這樣熱情分享資訊,
10#
發表於 2012-4-13 12:25:16 | 只看該作者
大家都是不明真相的围观群众啊
11#
發表於 2012-4-13 14:41:19 | 只看該作者
回復 7# CHIP321
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