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[問題求助] OP的MOS問題

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1#
發表於 2010-12-4 23:28:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
$ G( I% E3 A$ a% z9 z4 I
各位前輩好
- |" L8 a1 z; I% ]5 F& R: B3 a       我是剛接觸IC的新手,我現在要做一個簡單的的OP,電路圖如圖3,圖3是電路圖M5的部份,那是之前畢業的學姐做的,我想請問一下,為何他的Layout是像圖2,8 i8 |# F; p: a% O
他不是就是個PMOS嗎?為什麼它的Layout會變成這樣?是有什麼考量嗎?麻煩各位大大幫我解惑...感恩萬分!!!

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2#
發表於 2010-12-6 13:32:18 | 只看該作者
那個layout 看起來像是 M1 和 M2 + r* A. Q* @- e& M+ Y/ u$ M" k9 ~
是電流鏡, 要做  對稱ㄉ ( match )
  }* n3 t% |: y& n) r- m加上 body 接在 M5 的 D
. u" s& \; s% O! N+ C) b所以才單獨做吧
3#
發表於 2011-1-11 22:29:55 | 只看該作者
把他圍起來這叫做guard ring 用來避免雜訊干擾
6 {6 P% h( F2 @* i' T6 ~) i: F. Z! L0 @) K9 ~
類比電路的部分要特別小心雜訊問題
4#
發表於 2011-1-22 01:10:59 | 只看該作者
感謝大大的分享 2 q9 o6 O0 ~7 T8 H( [
知識因分享而壯大~~~嘻~~~
5#
發表於 2011-1-25 01:36:58 | 只看該作者
m5是那顆op的tail current, mos的畫法應該只是一般的multi-finger,
; I% \' l" N( k3 j; A- \7 n外面包guard ring應該是不希望電流源受到干擾
6#
發表於 2011-7-13 12:30:03 | 只看該作者
說真的,這並是電流鏡的一部份吧,但跟差動沒有關係,"感覺是把電晶體當一個等效電阻",看了許多電子學課本及電路來的經驗<PS高職課本也有寫,林均電子學也有寫、史密司電子學也有寫>。至於圍RING是看當時的LAYOUT的考量。都說是電路圖的M5了,怎麼會跟差動對有關係咧。要有關係的話,應該是電流平均分散給差動對的關係吧。
7#
發表於 2011-9-15 14:28:38 | 只看該作者
就一般圍了RING的MOS 防止雜訊干擾囉
8#
發表於 2011-11-2 10:38:17 | 只看該作者
一般類比電路較注意雜訊問題,
% _/ @. D# o- ^  _4 Q因此加guard ring是常見的做法~
9#
發表於 2011-11-17 02:25:53 | 只看該作者
M5 M6 M10 M11 如果源端电位相同的话  他们是电流镜 因为他们的Vgs 是一样的
10#
發表於 2012-5-12 21:48:44 | 只看該作者
好複雜!!可以教我嗎?好複雜阿!!!
11#
發表於 2012-5-17 10:50:27 | 只看該作者
M5和M8畫在一起,+ e+ R1 j; e' [7 E" S3 s) \
共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,# L% A% j8 W+ X* o  z1 q4 n
就是這麼簡單
12#
發表於 2012-6-13 11:29:11 | 只看該作者
沒有什麼特殊之處,就單純用Ring圍起來而已, X! l, }: g+ Y4 K; j$ y" n( u/ |# w" `# S
通常擺法會是
% d2 h, l4 `1 Q' n% w+ x  rM5、M8(PMOS)
# g- `: x. Y# \( mM3、M4、M7(NMOS)
1 q5 U  f0 y1 \. {8 @7 eM1、M2(PMOS)2 E% N) l( S( H' g

+ O# k# x( _8 o0 k( q3 g因為M1、M2的Well電位跟M5、M8不同,擺在附近的話會因為DRC的關係浪費不少空間
5 H# r9 k2 j! i* R" w8 v/ f) Q. J不過實際情況都要看所有電路而定
13#
發表於 2013-1-28 16:55:31 | 只看該作者
回復 10# 930709
0 c! I# W. }& _$ R( f; H* c$ n" r% A

" P; U- n# \9 l   
+ u4 j/ X( P  y6 ?" u
2 }3 I  a  P& B1 FM1 M2 像這樣畫嗎?

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