bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
.35製程
% y, }$ A  q8 o7 P. @. ?op db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
7 ]; F0 S/ B( p* U( z不知是OP還是帶差出了問題??
, `( K3 B5 \( U請各位大大幫忙


以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
: v2 n" n: B- K( i) M2 jbandgap voltage reference?
* ]. w3 `. X6 t/ n( @bandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
. I* U# t* [$ T- A* X$ H如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
8 R" H0 {+ K% l6 Sbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
+ q# b. U0 j6 v; U
2 h9 H2 c4 A, m6 u( ]

' J( |/ K6 y8 ]3 m" k% q5 ^[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
( C) `1 q' J& R1 \* {7 }$ d! w至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
4 t# _# s$ H, e3 x! N3 \. E' A
. V. p0 X6 f  k# J! Q如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
2 @- r. s$ T- l4 d+ Y這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
! a/ \# Y) ~' R5 H6 T. R
$ q! D5 u! k8 R4 y% c. h1 f9 c. D) Z你還是秀圖吧~~

. b0 G/ k4 a0 C6 C* K9 j2 qmos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:

帶差:

  }' Z1 x) C! L+ q* }, T大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
. ?8 [' v# D2 l5 y% {, O確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)

5 \7 N# ?4 V9 B, k8 R* m但是我的OP增益卻下降到很低
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
請問大大:
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
8 f) b4 t% s& L+ c: A2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
8 d1 X$ ~& Q1 J' F0 l現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
3 m3 g) ^5 }- N- R# T7 G
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?

+ F6 z5 j+ K6 h* y下圖左半部是幹啥用的? start-up?
2 s. F1 q0 a9 {' E
如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
7 F7 F; \. ^. G
如果不是...還請指教是幹啥的...

! u4 ~' j1 Z9 g! c- q8 A1 Y, [你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
3 W2 {  H0 J6 i5 n2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
+ n% b/ ?) M) {8 Z! u4 g4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
2 `; ?4 }6 L! R& A' d) E) u5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
2 m! ?& }7 G4 @. O  E2 ^* k2 P下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
& ^4 n' |9 s1 S(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
% d+ H; h+ s" _" I  r主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
因為不少人也是用這種電路當bias的

回finster大大
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)
- }2 q: B7 J- {8 G. g- J
/ B$ Q6 m8 @$ c0 c/ w4 {我的bjt顆數比為8:1
我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
0 e' h1 a+ L: ]5 I8 D" K& D我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u
5 h) M- f7 [# o& z4 G( E  S
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
8 r# R2 S! s- c8 p0 ^6 f6 J
5 }& A: y( D& u; r% U& N$ ^) Q根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻
  ?6 v0 T0 a3 ^$ B" s- U
/ X" H+ ~5 x& X# M' u  l此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定
$ {; C0 p: [- q& e* F7 M
所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP

因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差
# W' q8 O+ A$ D+ ?& L1 X
1 C2 V3 B& z0 a1 N" |加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG
# v. [% P+ ]  d
也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端

BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫
- l+ E0 X) ?& C6 Y9 s
建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

4 I* p' Z# M$ a4 `* h2 N5 v.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
; }+ v( b9 z- Y3 `; z6 V; b我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩
" |5 s/ R8 \4 v1 ]- ~6 `8 P; o