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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 " R) j# {! v" F& r' O

, C) S1 q9 Y! [) H8 k7 ]
  H1 w/ [$ |9 R近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。, ^! `; `' n( v6 }* E
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。
5 M* t" t: i- D1 Z但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、' n. o. \9 {: l# W4 A9 D! {+ k
迷惑中....
' w. h  `% e( L! ~* \! G如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?7 g7 h/ n1 {7 n5 A4 A9 t2 @
- D/ Y2 _% e* s2 ~, u( I

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?6 T$ K4 V: C3 k  g) N

( I' K; @! f  ]5 d個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
8 Z: _' z6 ?0 y: c+ J4 M有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,7 i5 Y7 e! m6 p  \# `3 K9 G
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,3 L: z( A) d8 e" g7 j7 b+ q( E7 t
這也是現實上要考量的. . r, y8 b: a4 D2 [: |3 g$ B
" q' Z9 P* Q8 \4 W
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
" Y' C4 E, [2 C9 I# K7 M  E不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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