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老實說,
! B/ d. N% Q5 E6 ~9 Q你問的問題很廣,( l5 L1 H# @, t E. p5 {% J; {; `9 k
會根據不一樣的條件,
5 d% j5 {, o8 x5 g! f; p$ U而有不同的答案。! q. Q* K5 `/ B3 v
9 P/ C( K( s( }+ z" g9 G以nmos,body=source=ground的例子來說,) u0 Y3 }; i. |, T9 M
4 I/ e: M ]! m3 [
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
* t2 K* B8 I: `0 T6 o# B如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,( B u' K; z- k/ ~% ?9 \: W0 O1 l
一般來說,應該不會,' C1 a+ L7 J0 D% r+ {
因為SiO2的critical electric field滿大的,
$ e( f5 ]& H F8 @3.3V device gate oxide還滿厚的。5 S; z2 R8 d4 R& @
vds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,, }! ~' J4 g. U
這個值通常很大,
; { C5 v5 V. d+ E f0 J. t因為body=source=ground。
8 M1 y% ~6 ^8 d W. m另外,如果channel length比較短,
: t; K0 Q2 |- H( i8 i. m& V! t這個值 "可能" 會跟channel length有關,2 u5 n/ V& R1 f6 k6 e* g
但如果channel length大到某種程度後,
% Y, h: [; L* G5 [' u( r應該也沒影響力了。
# {! b$ f7 d) ^! b2 K8 t( s6 O
. J9 D4 j* C0 U3 @/ T# z) M(2) 如果gate=bias voltage,3 F- n' q! i5 v: L& A6 Y
這顆nmos可能當current source使用,
3 j6 {% X0 o& x* C% h這時候就要考慮其hot-electron的效應,
/ y! a, Q) f: F. }. s3 {7 z因為單位面積的current可能滿大的,8 c7 u! w& h3 j( d
而vgd也不小。' @3 [1 i' J* b8 K8 C9 b! ?& R
+ b1 h+ q5 s( Z
(3) 如果gate=darin=high-voltage," |" m2 k+ n0 R$ u( i# r, ^: a
這樣的單位電流會大到不行吧!
# e% C2 u' g3 X1 |$ Q( J5 @: qId = kn'W/L * (vgs-vt)2
- Z8 X$ F7 A; w7 m: C, G) Q! T7 ^, ~3 A
所以通常是case2會是要考慮的問題,
+ z- |4 ~) h+ Q& j# N不過hot-electron就是可靠度的問題囉。& C2 k0 U# J; y1 m
n.n |
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