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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.- e, l1 ^0 C8 G2 a
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。) o) e: l! p' }

# i1 {6 ?: L$ L& ?( V" cEsd test summary:
- K. a3 h: l9 z" {, V( C; \$ \: J& B6 D4 T% l' L' o7 z# p/ w' Q8 o
ESD TEST
/ d3 f# n' i1 b. n, A. X
$ T, p' T: G) U7 i/ @& C: u% O+ l" d8 l  J+ `/ }6 w
PAD
  f  U! N! M8 |( L9 S$ A

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
$ Y2 X) a6 ?/ `. h' P4 _8 E5 S5 s* t
整體佈局
% C% K9 z% P- h3 H) z! Q3 q% w% C# o4 s
pad    layout4 }* t% P7 n) A) o5 O8 p% l9 T9 j
vdd&pin 28-38,1  esd protection
8 H" X5 e2 c: h1 T3 [0 _! J9 S/ M. N# m% u/ V* E! s
pad 39 40 esd  protection" S2 W& P+ B' }: k. R0 G. L; m

9 Y$ q# ^1 @0 ^) @5 O7 {gnd &pad7-14 esd  protection1 |) n0 n0 }7 S

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 5 q( V! S5 n: P* L# I/ y

; B  z  E2 F+ w9 l+ R4 t/ ~" K  u$ P9 z+ F4 ?0 Q
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4 O) X$ _3 U2 O% y* c9 u: m
& u* z% n. Z/ }- k4 B4 O% E  O8 H. z6 Z4 ^# u/ q
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
& i6 m' ?# L. y, _4 @$ g可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 . t* a8 `* q  ?9 H
) ~9 m9 k$ l" @* C& j+ d6 S; I* J
! O# y) L9 O2 K* e0 X. f; q: ?) N" `
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong$ O" R( D% z, ]
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
3 P  d, E  L- r9 d) l8 Y6 b( G! P2 w9 B4 B7 ~+ x2 Z$ N
6 e) @8 {4 ~) b: g+ i
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
0 |# c, X( W% Z2 j" l9 ?% j2 C- V/ f2 C8 a- b; p
回復 12# jian1712 ( z4 {( a' t1 E9 L: t; [- s- X

% o+ e$ Q7 z+ b3 E2 `9 f
8 V  o3 C0 W9 {! y    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
+ r# {5 Q' A9 B: F3 T+ |
( a4 P! `" p+ W( A* R
, C! I6 @2 C6 D% R; B  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 ! a$ y- I: O5 ]) j- W# F: r

  J! M7 a# O. L  D9 v1 U) T4 q2 t0 ?9 M% {4 Y
    + P* L9 Q+ S. P3 ]

( V3 H. c" ]2 J; I  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
* K* b$ M: V7 N3 m8 `8 M8 C& O9 c% S- p6 h0 s
# J! \4 q& e3 P  v, h9 ~
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,5 j+ W  `5 b9 H
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
. T# q: I- h* L# D這是相當容易造成gate端燒燬,# w: x1 r. W6 y* Q0 G
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,. y9 K3 H% v% `& W& U5 j
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,7 [+ o6 E3 ~- g5 `
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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