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[問題求助] LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)

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1#
發表於 2008-11-14 12:06:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)
* R( O: x. X- a5 [" P
& B. ~; E1 n8 ~3 m2 x: O; c( }想請問一下,在LDO或是DC-DC都有回授電阻來分壓# L* R, P# k: W  P2 B
/ }; H  `8 H& N/ C* o7 [
這些分壓電阻大小有什麼影響嗎?還是等比例就OK呢?
8 `: J  y! M* R) e9 a* ]* _) a( X0 _$ p  O
EX:   R1=200K     R2=100K 和  R1=20K    R2=10K的差異,分壓出來電壓都一樣,那到底如何選用呢?9 b; Q+ b$ ~8 r
! G- N/ M# l$ h: K
以下是 LDO 的相關討論:
- t8 G& N# i1 G& m2 j  ?! DLow Drop-Out Voltage Regulators
0 Z8 g5 N5 Y  S1 z5 O# TRincón-Mora 《Analog IC Design with LDOs》 * _( j3 `1 c7 ]. A; K
PMOS Low_Dropout Voltage Regulator Introduction
5 u% [' |' x" V; x6 i( H- a3 e4 cLCD Driver 設計術語簡介[Chip123月刊資料]
' z/ |" D; ~9 x2 g4 zThe evolution of voltage regulators with focus on LDO[NS講義]
8 N: u& B; X9 K0 j0 t. o( y% kDesign of High-Performance Voltage Regulators( I: Z1 g5 P- j% N' k5 R6 R
请教有关LDO的问题
2 Y7 R# }/ ~( e0 O/ E  K  P& z+ X! \- _7 t

/ o4 y, I- Z# N6 \* M9 z2 d# p% E: {. r2 V' @
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-14 11:33 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-11-14 13:25:08 | 只看該作者
应该是越大越ok,当然也要在同一个数量级上,这点可以从一些产品的datasheet上看出来,
$ o3 A; M. d) |1 Q( I在spec中一般会有IFB current 这一项。。。+ D* j) P( e- ^' h9 ~! ]7 W5 W
其实,你可以这么看,) ~1 U% |8 Z! @# j
feedback电阻和你的output loading是并联在一起的,为了使output得到更大的功率(电流)同时尽可能的减小对你的output loading current精度的影响,要得到100ma就是100ma,而不小于100ma,所以,你的feedback电阻这条支路的电流就要尽可能的小,所以选大的反馈电阻。。。一般IFB current在ua量级。。。。
0 ]) r! a( Q' L* ]1 ]有兴趣加我msn,大家交流交流:baggiodong1982@live.com . l  _( k1 w$ D2 `6 y
7 B( F& m0 ]  d5 i
[ 本帖最後由 baggio 於 2008-11-14 01:27 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-11-14 15:36:41 | 只看該作者
那分壓電阻有VIN到VFB的R1   和   VFB到GND的R2   這兩個R1,R2要那個大比較好呢?
4#
發表於 2008-11-14 20:24:02 | 只看該作者
范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
5#
發表於 2008-11-15 09:09:22 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-11-14 08:24 PM 發表
/ }# c. ~/ D( [# f- i( j  U范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
' Y9 z$ F% D- J' }& _2 {3 D+ q/ J- z
' W8 ~, |# [! I4 c" b* M. Z. E
费面积?会费多大?在pcb板子上都是贴片电阻把。。。
, x; F$ N# a, ?7 p' e+ C) J0 }6 k楼主意思应该是在pcb上,而非集成在电路内部。。。
6#
發表於 2008-11-18 22:49:11 | 只看該作者
面積、功耗的trade off。取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積。
/ c$ f+ Y" K* r一般幾百K左右。
7#
發表於 2008-11-27 02:40:42 | 只看該作者
我之前上 ntu 陳秋麟老師的 power ic4 y2 o8 f: Y  V7 T: q- |- K
5 a$ w& B# @" n3 }' d! ], o9 Q$ @5 k
有說到電阻值並不是越大越好.. 詳細原因我不知道..
1 I/ x+ S# @: W0 W% M! f( V( T  {# j* i
雖然以公式來看 效率等等會越好- z: t# X- h' R0 Z8 y1 N/ h
9 D) U: e( }- @, C' L  V8 z
我個人感覺(純猜測)  當電阻十分大時
' j# R$ l: d9 Z) W' y9 X% R
2 H, p5 h6 n: U, v1 T$ a& D( b流的電流會非常小...,然而小電流很 sensitive 3 L% e- M. r2 O3 j5 U  A1 V' h" `
3 d! v; k6 l0 r2 \
導致LDO輸出端,十分的敏感。.....9 b0 y9 I1 \0 a+ q2 @

- B' c" Q; l$ L$ E* ]3 \
/ F5 z  e3 C% {6 i純猜測...
8#
發表於 2009-4-29 14:36:02 | 只看該作者
取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積/ L+ |1 u9 v8 l1 W
另:
$ C$ v; x, Z& b- `  Y& AFB電阻太大會不會產生很大的熱雜訊?
9#
發表於 2009-4-30 22:51:43 | 只看該作者
thermal noise從output端去看應該還好9 ?0 N( w. U4 R2 D0 t
因為外面有掛輸出電容noise power會變成KT/C跟電阻無關. g% o- Z: {2 n6 S" a
不過下電阻沒掛電容直接進入feedback端的noise就要看LDO整顆的loop gain來決定能否壓的下來
7 P* t( \8 o( j0 T
8 i" S+ e4 K( c# v6 Y其他就和大大們說的差不多
- n  J3 _& [  X7 D5 K6 v# T2 l太大 占面積
- ]& X3 v! A1 o, n5 r太小 耗電流* m0 r& X& z7 h! N

2 m: s# }' O0 z1 F2 e* _6 G$ h不過太大 還有一個壞處 就是low load時頻率補償較不容易吧.
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