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你的問題應該在上過 IC 製程的課後
3 H$ z; d+ x! t- c* m; b. W就能得到解答
w: ~$ g: b& H4 r9 W以1P3M N -well PSUB 製程而言- W9 s) S) p9 e/ s0 s
CO 以上
2 i* e* N' x Y- I5 aCO 用來連接 POLY OR OD 到 M1( x+ P! F- F c% G% n& x4 f5 o9 V
M1 第一層Metal 連線用+ W- ]$ s# E' I" D" a, e
Via12 連接 M1 & M2 ,; _$ y9 Z7 X% f1 L2 Q! Y
M2第2層Metal 連線用) X) Q( {6 k$ d- D8 N; }
Via 23 連接 M2 & M3 ,0 n# ^: b; O+ w( J3 _1 B
M3 第3層Metal 連線用
) L( S1 l* U0 V, }4 o5 jPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
% m) j2 ?2 k, V, E也就是可以連到 chip 內部3 g0 Y9 z* ?8 w2 O6 Q- [
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔% q0 m/ ^ \8 g0 I i: ], H
叫 CO / i% r1 Q( }- [8 r: O/ c3 t9 U; ]
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
+ L; p+ c3 P4 ]6 F$ w$ }2 e8 Hvia 12 也有人 叫 v1
$ k. ~% f/ r, {via 23 也有人 叫 v2" X/ w- C/ R( b$ j! g- a
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal % v" k$ S; s+ N% J8 d
有機會 再 來說 CO 以下 |
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