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你的問題應該在上過 IC 製程的課後
G) I0 b' W/ b8 ?就能得到解答6 d& W8 Z3 e8 g0 b
以1P3M N -well PSUB 製程而言
2 h$ [& B1 j* C0 k+ O/ b. MCO 以上
% t, l8 Y% [, S$ Z, r' s- wCO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
5 B y0 d v: h/ x4 q! Z! z& v$ t M1 第一層Metal 連線用
% s9 o9 B9 H5 F; j$ P- X Via12 連接 M1 & M2 ,) @$ E' A' k' o% J: j3 R/ }4 @
M2第2層Metal 連線用
! X8 G6 R9 ? m! DVia 23 連接 M2 & M3 ,# M4 p: K( F) Z, A+ i
M3 第3層Metal 連線用
+ d9 `9 z0 C1 d( h2 rPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
9 T% g1 Q2 F9 ]# b$ T8 v0 w; v H L也就是可以連到 chip 內部3 z4 U" O' z" w: S
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔4 }, u8 z T; ]8 w3 _/ C( n4 G
叫 CO
+ F4 m$ r, C) O0 D% S Tvia連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
2 r% d8 V5 W( O- T7 yvia 12 也有人 叫 v18 U# s, n. V. r
via 23 也有人 叫 v2" Z% X& |5 t% r- W" O
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
( V$ \4 M$ N) Q8 e: x有機會 再 來說 CO 以下 |
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