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你的問題應該在上過 IC 製程的課後* m" \$ \8 @$ A( w
就能得到解答8 m \( H D& u) `# d( D* {
以1P3M N -well PSUB 製程而言* y& U* O7 H2 r. j% U; ?/ r
CO 以上 U1 c, f" g- T. j" Q! S3 V
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1& ~& Q; D# R |1 o
M1 第一層Metal 連線用1 r2 H, x# B6 j/ e# e: D
Via12 連接 M1 & M2 ,0 `: w4 r8 }* ~; X5 Y
M2第2層Metal 連線用2 K0 R: l5 G/ N4 X. W& l1 D$ R
Via 23 連接 M2 & M3 ,
, E1 h) V1 R" W! c& d& Q6 zM3 第3層Metal 連線用
: C* v* C$ d( hPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
: T! Q7 _/ h; n也就是可以連到 chip 內部
, Y7 h. r1 |, ?CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
$ b3 F1 P3 {) R0 w: j叫 CO
' X+ Q( l) p6 Z* T2 Ivia連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via 4 ^ _' ]# e+ a4 g7 F t9 v
via 12 也有人 叫 v1$ E% n2 c- B2 e0 l, K
via 23 也有人 叫 v2' y+ p2 J2 [! N. \
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
8 z4 x/ i8 T- I, w; i有機會 再 來說 CO 以下 |
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