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你的問題應該在上過 IC 製程的課後8 f, w! G' G; H" B! U
就能得到解答' e% M( I5 y y& u! B- _
以1P3M N -well PSUB 製程而言, d% {- o8 @, |* A$ l6 P0 _( m
CO 以上
; f; f' N4 j; q/ N" m2 O! CCO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
6 w: [+ @: b5 o* F M1 第一層Metal 連線用
% |/ S3 I3 z# @1 o( i& S5 r Via12 連接 M1 & M2 ,
$ f \5 r) H3 ?0 D% ?M2第2層Metal 連線用
$ ]8 w% E. o( @8 L6 Y6 r, n% IVia 23 連接 M2 & M3 ,
% P' t2 I7 [, e2 }' ` n$ {M3 第3層Metal 連線用/ j' n( ]8 E+ d& R" C
PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
4 z! g8 Y q V. c也就是可以連到 chip 內部
& V. U$ B# K9 n$ w7 cCO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
7 ^5 k$ z( M( A9 R8 G叫 CO 6 D, ^' _# s) ?( H. |; \1 A i
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via 0 |8 A$ y t, r2 [. q- v6 R O
via 12 也有人 叫 v1. N: r$ @0 K9 W* N
via 23 也有人 叫 v2
7 K- X5 [! Z5 V9 U同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal + H5 [8 ~2 P# \ c: v
有機會 再 來說 CO 以下 |
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