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你的問題應該在上過 IC 製程的課後* V1 h! q$ m g# U8 D
就能得到解答
. O3 T" b! x% M% f6 h, Z) h以1P3M N -well PSUB 製程而言* t4 H- N1 S0 ~1 m- [0 i
CO 以上
. y1 O- a+ G& o8 Z" |1 C3 j" }CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
5 \# q$ t& L+ w6 N+ t M1 第一層Metal 連線用+ S: B7 f9 X- b' f, { Q( J1 A
Via12 連接 M1 & M2 ,. ~4 y- l, G: Q
M2第2層Metal 連線用
/ K0 f" c$ a+ C. I1 SVia 23 連接 M2 & M3 ,5 R+ |3 ~+ E( R
M3 第3層Metal 連線用
+ [9 d2 P" I! _) d! w, r/ n9 `PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
; z3 Z$ A. ?4 R0 \8 W也就是可以連到 chip 內部: ?7 s5 a5 j2 K$ O9 n _8 q" H6 Q
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
" H+ k) O1 g* N" f6 C% D叫 CO 3 v/ w6 u' O( i0 l, P! p% _& T1 H6 l7 [
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via # G p) i2 @) ]; E4 ~. V! S: V
via 12 也有人 叫 v1: m# ?* j# Z2 ^. c3 w7 x, U7 @0 h
via 23 也有人 叫 v22 F) S7 w( f1 q1 _) \7 E: p
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
! W( p* }# V# x9 s7 d* x有機會 再 來說 CO 以下 |
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