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你的問題應該在上過 IC 製程的課後! n' d1 C) D( S4 A$ u, E0 @
就能得到解答/ B v5 \7 l" ]0 v! i
以1P3M N -well PSUB 製程而言
3 d0 W( X5 B) ^% BCO 以上3 n; G% z6 H, V, d$ [
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
5 X3 ~: o4 H- m6 x6 u M1 第一層Metal 連線用( H6 U* i6 Q/ K$ \7 l3 d
Via12 連接 M1 & M2 ,, `; B q$ b3 |7 x: b; ^& U
M2第2層Metal 連線用8 ~1 V ?$ G+ j+ P+ p
Via 23 連接 M2 & M3 ,7 ^, j, d7 C5 p9 I$ B9 J" c
M3 第3層Metal 連線用
; S/ n1 O0 H5 p/ [- Y8 XPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M32 \" g$ x+ S! W0 {( u
也就是可以連到 chip 內部: ?3 L% W/ J2 G; E0 T0 D* E
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
7 U3 u! A$ R4 R# R; R叫 CO
6 N. b$ e) e7 k: K/ Fvia連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via & U4 u! ^" F; P+ n: L
via 12 也有人 叫 v1/ U1 Z" @% K$ t8 X e
via 23 也有人 叫 v2& z" r2 V$ T1 `: b5 P
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal 3 T0 k I$ o1 ~
有機會 再 來說 CO 以下 |
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