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你的問題應該在上過 IC 製程的課後4 Y- v; C, i# [) \3 n
就能得到解答
* Y0 C& A7 G& K8 x" T以1P3M N -well PSUB 製程而言3 a' \- C" u; y7 M; f
CO 以上
" t* h# u& e$ ~3 ]+ oCO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
+ T" {5 S8 `$ _9 {' } M1 第一層Metal 連線用0 [# n. J1 Z2 G, N
Via12 連接 M1 & M2 ,
- M7 w2 b/ W: Y0 a5 xM2第2層Metal 連線用
7 w6 Q+ N$ m8 [9 C5 `Via 23 連接 M2 & M3 ,1 M6 l# x S+ h; V) p, [9 B
M3 第3層Metal 連線用
2 K/ ~8 M7 s& e& P* N- z- J0 ?5 HPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3( s) n7 E7 c; x; t! K
也就是可以連到 chip 內部$ H3 l" |: A! O) {( z
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
/ h1 x7 R: Y* U3 k* ^叫 CO - g, q2 L7 V$ W* x9 ?: L6 |, w4 o
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
3 ]9 m" o7 n& w9 {via 12 也有人 叫 v1
9 ?/ |: @4 B$ V7 a5 Dvia 23 也有人 叫 v2
6 H8 o3 c8 M q同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
0 b! Q: W) f. x3 Y0 l0 t1 v有機會 再 來說 CO 以下 |
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