|
你的問題應該在上過 IC 製程的課後
5 m' x( r# B* `8 K- ?就能得到解答, K9 K- J) x) I$ z2 t
以1P3M N -well PSUB 製程而言
& v, [- I1 M3 e1 _1 g+ Y+ {CO 以上$ m# l; q! }. I0 Q2 R$ j, u
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
. Q& |9 [# w0 I/ q M1 第一層Metal 連線用' s5 [3 i8 e* K' Q. W
Via12 連接 M1 & M2 ,
4 k( p6 I: ~) m, WM2第2層Metal 連線用5 n& u) S/ z$ ^# L2 i0 J
Via 23 連接 M2 & M3 ,5 E6 r9 ?5 _/ D- \
M3 第3層Metal 連線用- r& A$ t7 S a3 ?) }
PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
$ B; u# E7 d' m! V也就是可以連到 chip 內部: W. I- N+ h& s% F2 Z- f
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔( J- ^$ B" e0 q6 W+ r. l# H; T7 j3 a9 n
叫 CO 0 d8 F8 u y# K/ t! K
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via ( D; F2 Q1 q0 `$ A% K. t
via 12 也有人 叫 v1" U6 M! `( x0 k: @! ~, D8 c
via 23 也有人 叫 v2* ]: m# o7 {* U2 | k d: d
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal * a( Q, A; K% ?) W1 {
有機會 再 來說 CO 以下 |
|