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你的問題應該在上過 IC 製程的課後
, i4 d4 O* Z' W就能得到解答1 [& c1 q" c5 h
以1P3M N -well PSUB 製程而言
m+ g8 c) \5 ?+ P# @( s4 S6 M" T) jCO 以上
3 W. \# E9 r; x. K! U8 d1 S; NCO 用來連接 POLY OR OD 到 M1+ J5 a' ^( s. w7 ^. s) n
M1 第一層Metal 連線用
6 H- F& a9 J* o1 P9 C$ D Via12 連接 M1 & M2 ,& I# I* Z0 `7 T$ {& j$ D
M2第2層Metal 連線用: R* j$ c, d. V5 h5 i" r Z
Via 23 連接 M2 & M3 ,
1 I* Q* T" F6 }! T3 G7 IM3 第3層Metal 連線用
( n* h. B* O u9 FPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
: H& H5 z5 U+ q% g' C1 R( z也就是可以連到 chip 內部. @. {: m% v; P3 i$ ?6 d) L5 H5 `
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
! j$ \& `1 k, G( U- K8 z8 Z叫 CO 7 h4 w- |3 f: |: R
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
2 f2 u6 ^3 C* P; z" [! G3 E9 gvia 12 也有人 叫 v1
# {8 S& Y" z4 wvia 23 也有人 叫 v26 B: j# e- I9 \" r) ?
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
: M/ z! i; U3 x# h$ V, Z- v1 t, ~3 c有機會 再 來說 CO 以下 |
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