關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
: Q, s) r/ n2 J7 ~7 X$ x之前我有下一顆BGR
: q# T" g: Z8 b+ Y3 q1 l所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
2 e! X  T* F3 F! Z+ l5 `; s可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
5 l6 h* F, p, A/ _BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
1 p! M9 _, O. s" E5 F; D因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂

' M& T; l$ C. r8 x% Q所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?
7 ?0 I/ ?6 e7 v$ ^2 d
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
# G2 o' C9 E# h6 Q/ d8 @$ mbandgap voltage reference?
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
Bandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
4 U% I% Q0 x+ c5 Q# S8 }$ t# H6 _1 v& B1 jbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
! Q2 [8 L% b' X
. I* x! L( U# c/ F; Y/ L

% _1 x! z( [% e& I! \[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
& |& z7 s6 q2 X9 ^) W8 l+ ~應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
7 `2 q& G: U6 j, ^. r假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
( }& O  K% ?8 d9 ~應該是接成MOS diode的型態

re:relax918
可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
2 p5 e% n4 J( c2 N這種架構就類似於Diode-connected Transistor
$ D, I2 P$ v$ {4 d4 s) Y6 C二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
公式的表示方法也不一樣
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
# _* |/ U' t& S( a- z) W/ V
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
利用P-N junction的特性而已

所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
3 h5 |" s, g$ H% [2 Q7 e  H應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
6 b) B. g& M+ C( k% d; d2 }
但是何者較穩定就不保證了

因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
/ t1 I6 z- y  vNMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
8 D7 K/ W+ P  _0 q假如G端也接地的話  ...

感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉