關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
$ p; q9 _# i  h之前我有下一顆BGR
* i0 A9 L& L7 J' T6 U所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
* V1 h+ N: X1 y2 q0 n! q. s可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂

( i" a( z1 A: @所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
6 Z+ b* J) a' ]( |4 O2 S7 l這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?
) d2 ?* n. y5 ~1 O, T
. T1 m: z" c! f以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
+ M) K* \3 {; B; G" ^bandgap voltage reference?
9 {" }$ ~; P9 C4 J+ pbandgap voltage reference?
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
* p$ e3 y# L- B( m! D0 D# LBandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
& N' t$ A1 w3 x! {/ n5 {bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
; B4 K- h" n7 V8 sBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
% o' O$ c, w$ d+ ~


[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
& U7 e% T7 u5 k* `" _" n應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
; J  R+ {( Q' I( D' p0 h! n假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
應該是接成MOS diode的型態

re:relax918
0 a. Y& x! f- P; ^可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
這種架構就類似於Diode-connected Transistor
二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
5 Z& m# V4 j: W" v* z2 b& n但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
) B1 g2 L1 g7 T公式的表示方法也不一樣
8 ?# E1 T1 A* B) E( ?; p操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
4 D4 {1 x( x1 i
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
利用P-N junction的特性而已
9 f+ Q: A- i5 e8 T4 Y0 N' l5 _
所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
1 W: t( V% J; M- Z; ~4 Q4 U應該也會跟BJT做出來的有類似的效果

- C7 a& g7 P  [0 S  e但是何者較穩定就不保證了
" f3 t* e: |1 S$ x0 x& Z( q
* I9 c* P& R- O9 W) ^" |因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
# A7 p1 V- v9 z- X: O7 o" j它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
6 D! K( d; }2 L+ |7 w7 s假如G端也接地的話  ...

感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉