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[問題求助] 製作Qcell 時無法加上opc

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1#
發表於 2008-5-8 17:52:26 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
10Chipcoin
使用cadence IC5141版本製作Qcell5 t4 C4 ^8 H% B# M
但是製作Qcell時無法在contact四個角加上opc, V  y/ ~3 H( R
因為Qcell 製作mos的layer層只有poly, od, cont, mt1, 四層並無opc這層 3 ~0 Q2 H9 K8 b+ Q6 d" ?9 C
請問各位高手有辦法在製作Qcell時增加layer層嗎?
" x& x  |# a: H2 {0 l$ F3 r還是有辦法寫一個類似增加metal dummy的程式
& p; X6 A, L- ?, D可以在所有的contact 四個角增加opc 這層layer0 C+ K7 Z' y  u$ R6 Z: A2 g
希望高手能幫幫忙,謝謝

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忽然发现上次的留言没写完,惭愧。 其实Qcell本质上是一个technology文件中Device子类中的一个CDS系统预定义器件的图形化录入工具。MOS是属于CdsMOS子类,如果不在TF文件中使用tcCeateCDSDeviceClass()来生成自定义的mos器件类的话,好像系统并没有提供多个CONTACT,或其 ...

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2#
發表於 2008-5-8 17:52:27 | 只看該作者
忽然发现上次的留言没写完,惭愧。
5 o- L( d# P* x. B其实Qcell本质上是一个technology文件中Device子类中的一个CDS系统预定义器件的图形化录入工具。MOS是属于CdsMOS子类,如果不在TF文件中使用tcCeateCDSDeviceClass()来生成自定义的mos器件类的话,好像系统并没有提供多个CONTACT,或其它层的输入来完成楼主所说的OPC.而自定义器件,又有可能会在邻接(abutment),P&R的时候出现问题,所以感觉还不如使用PCELL做来的方便。
$ K4 P4 j' U- ]% }% Z继续关注中,有谁知道怎么处理这个吗?
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3#
發表於 2008-5-9 09:47:26 | 只看該作者
我也是用5141,qcell製作cdsmos時有add implant layer與( H: r5 a$ ^6 H2 Z  m. Y# v9 C
add well layer可以點選使用,自己要加哪個layer自己挑,不, ~! M+ P% \6 l2 J2 x; n
過是有限定enclosing diff gate或是兩者,另opc是什麼?看不; s, {7 R, k; ^1 p
懂。
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4#
 樓主| 發表於 2008-5-9 12:40:23 | 只看該作者
原帖由 skeepy 於 2008-5-9 09:47 AM 發表 8 ]! ~- O& Y4 ^. r
我也是用5141,qcell製作cdsmos時有add implant layer與1 @* \. T. D0 |2 g7 t! V
add well layer可以點選使用,自己要加哪個layer自己挑,不5 ~; \/ w& k6 i* M+ S
過是有限定enclosing diff gate或是兩者,另opc是什麼?看不1 \8 [& S, o. \" \8 ^$ h4 R
懂。
" @5 q, D. d+ a& a6 X/ t5 L
3 \' q- N- J. V/ ~+ \6 U
opc就是conopc層,用來打在contact四個角落的一個layer層 目的是防止製程在轉角處可以修正的比較接近方形,而不會使contact因為製程的偏差而做出來變成不規則的形狀
2 b* |4 j6 E# N大大說的兩個add layer我有看到 因為沒有opc所以我無法定義@@: x% s( T2 Z! T$ d
有高手可以幫忙解決嗎@@?
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5#
發表於 2008-5-13 11:54:20 | 只看該作者
QCell在制作标准的MOS器件时候时很方便的,但是,诸如楼主所说的这种情况,可能必须重新添加几个OPC层的矩形区域,并将它的位置定义到现在Contact的四角位置上。当然,这样做基本的CELL的时候时没什么问题的,但是如果需要拉伸Contact阵列,或者在自动布局布线的时候可能会有其它的问题出现,最好还是由CAD支持人员来做这个工作。
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6#
 樓主| 發表於 2008-7-3 10:46:22 | 只看該作者
這個問題還沒解決,如果以pcell代替qcell就沒有這個問題了,感謝兩位大大的回答喔
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