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[問題求助] Diffusion ROM & Via ROM ??

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1#
發表於 2008-5-30 09:24:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
什麼是diffusion ROM, Via ROM?
5 z* p  p4 }+ X4 M/ i它們的差異在哪裡呀?3 D0 {1 t( c9 g  B% ~8 Y
請知道的大大share一下!!
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4#
發表於 2010-7-2 10:20:57 | 只看該作者
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小

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3#
發表於 2008-9-29 13:52:58 | 只看該作者
以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer2 y4 h( \( k  o6 H
不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
7 Q1 q0 g! S* N& `/ lproject,選用Diffusion ROM是很不智的。
% t" i, }; m: d9 ]2 }但他有面積小、速度快的優點。
0 r& |) {2 R! g; {: R4 ^5 O& _% N8 h3 E7 f- H. R
另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的
2 {% n; `4 I# ~; S3 n方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看
" B+ O: N) u1 i3 d你要投的fab有沒有支援此process。# _) o- b6 K6 q$ D* |

1 A8 }0 S3 T: t6 h6 ?, j; ]Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。
" S0 i6 Z1 L' F5 u  }- F- E% S3 o# m  `$ w$ ]
[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ]

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2#
發表於 2008-5-30 16:57:51 | 只看該作者
網路上查到的.參考一下:+ \% `- ?! B2 Y0 V
"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting & b' I, \& o- J! l& ]% u- M3 ~: a
VIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1
5 e7 n, F( F1 J0 o' P9 tVIA ROM may have bigger cell size "

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