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[問題求助] layout 的 metal 耐電流?

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1#
發表於 2007-8-1 09:40:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!
& e4 C( E: L: O5 N# n6 r* O% y這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!
# x. M- W5 J- ]* x' k+ G) O要做足 metal 的寬度  幾乎非常困難!!
! `0 W/ I' H6 O) ?# l0 i不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!3 T% M0 \1 \9 a2 b- G8 P
假如以下的狀況:# [  B+ |$ d& K' x8 Z' D: {
1. Peak current is 2A?
3 t5 T8 T* g) y4 r* d  @" U& U7 C2. Constant current current is 500mA?
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2#
發表於 2007-8-1 21:06:22 | 只看該作者
一般power mos之chip都很大,所以空間不足的情形,可以加大IC dim,缺點是cost up。
3#
發表於 2007-8-3 16:21:04 | 只看該作者
如以 1um /1mA  來看,用4層metal 同時拉,應該用500um就行了吧

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參與人數 1Chipcoin +1 收起 理由
sjhor + 1 Peak current 可達 5~10mA/um吧!!

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4#
發表於 2007-8-7 22:19:03 | 只看該作者
為了因應Power MOS的巿場* f! [# R/ m" A( {1 Z. E. F$ a# q
通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule
0 v& ^# d$ b) G" P9 U4 pthick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多
* N5 l4 V* _% F% k1 H6 fthick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)
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