用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
6 x9 b4 s& Q- g7 c9 q. |# Z* t" k
感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
2 b3 C  r& l2 D0 z- O建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
: n+ v* `3 g1 ^' y7 W
哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
& n* G' w, m2 c.option dccap post
8 u3 p% b# j( e& |+ J% E.print CGG=LX18(mn1)
; k! H6 |7 X% H* V3 k.dc vin 0 5 0.1
....
.....
' T: h6 y7 |1 W2 H" J.......
! j4 m7 d/ p& O% B0 D6 x1 S.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
* |$ P- E" a+ N% m如有錯誤，請大大們指教~~~

8 n' [" f# ]* i6 y9 v對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

5 U/ `6 e1 n/ L1 ?9 v- {比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值