陶瓷電容怎樣分析

chenchange

最近在量測陶瓷電容發現很大的問題，原本查出原因是電容只有1M ohm，但是點久了會回覆10M ohm 後產品就正常了，加焊電容也會恢復，但是用x-ray 看又看不到有錫絲殘留，用三用電表量測幾次也會恢復，拆開電容重新焊也會回復，是否是電容內有何問題?要怎樣機台量測維持原狀電容不要讓她回復10M ohm 又可以找到原因，不知到哪位大大對於電容精通，可以幫忙一下，感恩感恩

cuban487

你好我以維修電路板的經驗來分享
之前有遇過電阻用電錶電容表良都正常
但在板上運用在濾波上功能就無法正常
後來是用一總VI分析儀找出好壞電容的差異
不知道對你是否有幫助
& N; I; q8 G: m3 Vcuban@pic.com.tw

kwfy

通常絕綠阻抗有問題，絕大多數是本體有crack
9 r( A' M$ ?( _, z% s" G! j2 n+ ^; P可以試試用X光機看一下是不是內部有受損

chenchange

總於可以解決了，陶瓷電容因為裡面層次非常密，使用X-ray 無法分析，除非使用高阻計量測，量測IR 特性，如
設備：HP 4339(HP是品牌惠普，後面是型號)
測試方法：以一倍額定電壓(10V)充電60秒量測

0 `7 C# ^4 r/ Q) c可以量測，並且當初用Thermal shock 沒有多大作用，但是改用 HAST  or pcT test
水汽進入IC封裝的途徑：
8 p, k8 H5 y5 Y$ P* S3 ?1.IC晶片和引線框架及SMT時用的銀漿所吸收的水
- F* S0 R. N7 S2.塑封料中吸收的水分
3.塑封工作間濕度較高時對器件可能造成影響；
- N3 L; ]4 |" R' w4.包封後的器件，水汽透過塑封料以及通過塑封料和引線框架之間隙滲透進去，因為塑膠與引線框架之間只有機械性的結合，所以在引線框架之間難免出現小的空隙。
1 H0 N6 ?% X6 o  Q' i! W' W備註：只要封膠之間空隙大於3.4*10^-10m以上，水分子就可穿越封膠的防護
$ j: u; a% s3 F& h2 Z% N備註：氣密封裝對於水汽不敏感，一般不採用加速溫濕度試驗來評價其可靠性，而是測定其氣密性、內部水汽含量等。
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說明：PCT試驗一般稱為壓力鍋蒸煮試驗或是飽和蒸汽試驗，最主要是將待測品置於嚴苛之溫度、飽和濕度(100%R.H.)[飽和水蒸氣]及壓力環境下測試，測試代測品耐高濕能力，針對印刷線路板(PCB&FPC)，用來進行材料吸濕率試驗、高壓蒸煮試驗..等試驗目的，如果待測品是半導體的話，則用來測試半導體封裝之抗濕氣能力，待測品被放置嚴苛的溫濕度以及壓力環境下測試，如果半導體封裝的不好，濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之介面滲入封裝體之中，常見的故裝原因：爆米花效應、動金屬化區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污染造成之短路..等相關問題。
目前測試有兩種.一種為飽和蒸汽.既測試條件為121度,箱內壓力為2.04個標準大氣壓.其內部濕度在一般能保證在100%.測試時間分48H和96H兩種.主要應用於LCD和被動元件等封裝元件.
6 q& O: f8 L0 h) F( U4 I另外一種為非飽和蒸汽.即在溫度高於100度時,箱體內濕度可以在70%-100%可以調節控制.此設備架構比較緊密,價格相對來說比較高.目前市場上好像日本的TABAYI,和德國的可以做.國內有這樣的設備廠家也為數不多!

# U; g+ H* h/ F: v飽和蒸汽測試應符合:GB2423-2-1-89 、 GB2423-3-2-89
7 a3 p( C+ m: ?: |' O# V
3 T; l; z- W7 M& h3 R不飽和蒸汽測試應符合:IEC-60068-2-66