版图设计基础培训（很有用）！

fgwh406

包含内容：
cadence基础培训
CMOS工艺
0 C, ~7 e# b& c4 t: X; i9 Jmixed signal layout
阱中阱bi-cmos工艺流程

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wwbbcc

等不及了啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊

far

感謝分享
可以了解很多的知識

aszx91z8

學習永無止盡 謝謝前輩分享

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力
0 C2 w4 x) T% x0 r

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

spacedpp

2 ~. U7 ]8 V+ a8 A6 J6 c1 ?謝謝分享,
研究看看...希望有幫助＠＠

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kyobaby111

感謝大大的分享
# x0 n4 e4 ^. G0 Q" l希望能對我這個菜鳥有幫助
1 V* y/ O  p% n1 j7 [# M

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
, Z9 P0 u& B) [1 U

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。
5 W  `* s/ t! r& o7 f, e' N

何建頫@FB

謝謝分享
- n" ]: I- F# f0 [1 h看起來是一份很基礎的講義

crazydance21

    謝謝分享!參考看看

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
想找些教學資料參考
謝謝大大分享

adjamie

謝謝分享!!
學習中,非常需要~

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 $ S! w' I4 E+ w$ R0 n7 ~" H感恩~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
) Y6 z% d: F# z6 c1 ~  }1 z% _( H5 @   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
1 U  |  E0 J# S. u  c   
   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
8 V: O; C( s5 K# ?0 c7 _" u   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。