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板上的各位前輩好..
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! R& C& x4 h) ^* [$ p我現在在設計一個sdram的控制器,我根據著datasheet去設計。2 P" x5 r5 i3 ]1 v
也把他的流程圖都畫出來了 V7 O7 p: Z1 F5 p' K
6 N' y9 W: V) L! J e) |- h1 B% Y但是現在有一個問題困擾我很久,我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作- S& Z: F! C% G! q/ ^# h
只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
; I1 a/ s' @& }# R- S& H, ?舉個例來說
$ r0 N, [# O1 n1 f+ G! sHOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料5 f2 ~, [7 X) }0 J9 A
正確的結果應該是讀出(1,2,3,4),但讀出結果每次都是(1,1,1,1) H3 N! {8 @4 u: z& Y- C
四筆讀出的資料都是第一筆,不知道是發生了什麼問題????
* \$ K! z1 T1 _9 ]不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
& B! g& M7 {; F+ g2 ~1 f8 H還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?
$ x+ i% N! e9 j: v# ]5 ]! D5 J( }) p/ ?0 Y
我用的是Elpida(hitachi)生產的SDRAM
+ A$ F/ B7 t4 j& [- c0 u v型號是HM5216165TT10H. M' `* E" ?! f7 H6 y8 ^
l' N+ _, `; x+ ^" R不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
* u% u7 N, R l* q9 K2 j; d能否提供給我一點意見去解決,我已經debug一星期了還是毫無頭緒..... q8 U* I* m; i# J
' s" v4 L. N$ u0 ]4 n謝謝 |
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