英飛凌推出採用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFE 樹立技術新標準 ...

圖：英飛凌OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業界極低的導通電阻，能夠進一步降低能耗。
2 x 2 mm2的小尺寸封裝，為PCB 佈線提供了更高的靈活性。

這些領先的功率MOSFET元件採用PQFN 2x2封裝，具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業界極低的導通電阻，能夠進一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝，為PCB 佈線提供了更高的靈活性。此外，該解決方案還具有出色的電氣性能，可進一步提高終端應用的功率密度，縮小外形尺寸。同時，系統溫度的降低、性能的提升，也讓熱管理變得更加輕鬆。這些特性有助於實現更精巧的客戶應用，充分節省空間、降低系統成本，打造易於設計的產品。

供貨情況

採用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和 30 V功率MOSFET產品系列現已上市： 

• PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 mΩ (ISK024NE2LM5)
• PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 mΩ (ISK036N03LM5)