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英飛凌攜手 Panasonic 加速 650 V GaN 功率裝置的 GaN 技術發展

2021-9-6 03:44 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 129| 評論: 0|來自: 台灣英飛凌科技

摘要: 英飛凌科技和 Panasonic 已針對共同開發及生產第二代 (Gen2) 氮化鎵 (GaN) 技術簽訂合約,Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。出色的效能、可靠性及以 8 吋矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 晶圓生產的能力,凸顯出英飛凌 ...
英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 和 Panasonic 公司已針對共同開發及生產第二代 (Gen2) 氮化鎵 (GaN) 技術簽訂合約,基於已獲認可接受的GaN技術,Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。出色的效能、可靠性及以 8 吋矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 晶圓生產的能力,凸顯出英飛凌在需求日益增長的GaN功率半導體領域的策略性拓展。為了因應市場需求,Gen2 將會開發為 650 V GaN HEMT。該裝置具備易使用性和更高的性價比,主要應用包括高功率與低功率的 SMPS 應用、再生能源、馬達驅動等。


出色的效能、可靠性及以8 吋矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 晶圓生產的能力,凸顯出英飛凌與Panasonic的策略性拓展

對許多設計而言,氮化鎵 (GaN) 可提供比矽更多的基礎優勢。與矽 MOSFET 相比,GaN HEMT 具備出色的特定動態導通電阻和較小的電容,因此符合高速切換的要求。能達到省電、系統總成本降低、可在較高頻率下操作、提高功率密度和整體系統效率等效益,使 GaN 成為對設計工程師而言極有吸引力的選項。

英飛凌電源與感測系統事業部總裁 Andreas Urschitz 表示:「除了具備與第 1 代相同的高可靠性標準外,由於改採 8 吋晶圓製造,客戶將可受惠於更易於控制的電晶體以及大幅改善的成本定位。」如同雙方合作開發的第 1 代裝置 (英飛凌 CoolGaN™ 和 Panasonic X-GaN™),第二代裝置將會以常關型矽基氮化鎵 (GaN-on-silicon) 電晶體結構為基礎。在此基礎上結合混合汲極嵌入式閘極注入電晶體 (HD-GIT) 結構無可比擬的穩固性,讓這些元件成為市場上的首選產品,同時成為長期最可靠的解決方案之一。

Panasonic 工業解決方案公司工程部門副總監 Tetsuzo Ueda 表示:「我們很高興能夠和英飛凌在 GaN 元件方面繼續合作。在這樣的合作下,我們將透過最新創新發展,供應高品質的第 1 代和第 2 代裝置。」

供貨情況
全新 650 V GaN 第 2 代裝置預計將於 2023 年上半年上市

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