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富士通電子推出能於攝氏125度維持正常運作的2 Mbit FRAM

2019-10-30 10:44 AM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 157| 評論: 0|來自: 富士通亞太電子有限公司台灣分公司

摘要: 富士通亞太電子有限公司台灣分公司宣布推出型號為MB85RS2MTY的 2 Mbit FRAM;此款容量最高的FRAM產品能在高達攝氏125度的高溫下運作,已開始供應評測樣品 (evaluation sample)。此款FRAM非揮發性記憶體在運作溫度範 ...

香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司 (以下稱富士通) 今日宣布推出型號為MB85RS2MTY的 2 Mbit FRAM (註一)。此款容量最高的FRAM產品能在高達攝氏125度的高溫下運作,其評測樣品 (evaluation sample) 現已開始供應。此款FRAM非揮發性記憶體在運作溫度範圍內能保證10兆次讀∕寫週期,並支援像記錄駕駛資料或即時定位資料等這類持續且頻繁的資料記錄。由於該記憶體屬於非揮發性,即使遇到突然斷電的狀況,寫入的資料也能受到保護不會遺失。因此,這款產品適用於需在高溫環境中運作的應用,像是具有會產生大量熱能的引擎或馬達的汽車設備與工業機器人。


圖1-MB85RS2MTY封裝

富士通在過去約20年量產各種FRAM非揮發性記憶體產品,具備比EEPROM及快閃記憶體更高的讀∕寫耐用度、更快的寫入速度及更低的功耗。近幾年來,這些產品被廣泛應用於穿戴裝置、工業機器人與無人載具。


這款擁有2 Mbit密度的產品採用SPI介面,支援從1.8伏特至3.6伏特的廣泛電壓範圍,且運作耐熱度可高達攝氏125度;即使在這樣的高溫環境也能保證10兆次的讀∕寫次數,相當於EEPROM的一千萬倍,而最高運作頻率則達到50 MHz,比現有產品快1.5倍。此外,這些產品的可靠度測試符合AEC-Q100 Grade 1標準,達到被稱為「汽車級」產品的認證標準。


圖2-適合MB85RS2MTY的應用

此款FRAM採用業界標準8-pin SOP封裝,使其能輕鬆取代現有類似腳位的EEPROM產品。此外,也提供擁有8-pin DFN (Dual Flatpack Non-leaded) 的封裝。


富士通持續為IC卡、工業機械與消費性裝置提供資料寫入效能高於EEPROM的FRAM產品。能在最高攝氏125度環境中運作的FRAM產品自2017年起就已經量產,因此這類FRAM逐漸被廣泛用在需要在高溫下維持運作與高可靠度的汽車及工業機械市場。此次富士通研發並推出最大容量的2 Mbit產品,藉此強化可運作於高達125度的FRAM產品陣容。


圖3-MB85RS2MTY的主要特色

富士通將持續提供各種FRAM產品與解決方案,協助客戶提升各類應用的價值與便利性。


關鍵規格

  • 元件型號:MB85RS2MTY
  • 容量 (組態):2 Mbit (256K x 8位元)
  • 介面:SPI (Serial Peripheral Interface)
  • 運作頻率:最高50 MHz 
  • 運作電壓:1.8伏特 - 3.6伏特
  • 運作溫度範圍:攝氏零下40度 - 攝氏125度
  • 讀∕寫耐用度:10兆次 (1013次)
  • 封裝規格:8-pin SOP與8-pin DFN
  • 認證標準:符合AEC-Q100 Grade 1

註一:鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)
FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體,即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性,並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀∕寫週期的優點。富士通自1999年即開始生產FRAM,亦稱為FeRAM。

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