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蔡司非破壞性3D X-ray量測解決方案 加速先進半導體封裝產品的上市時程 ...

2019-9-19 10:14 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 212| 評論: 0|來自: 蔡司(ZEISS)

摘要: 蔡司(ZEISS)宣布推出次微米解析度3D非破壞性的成像解決方案「蔡司Xradia 620 Versa RepScan®」,能透過檢驗與量測功能獲得更精準的資料結果,加速先進IC封裝的上市時程。運用3D X-ray顯微鏡(XRM),透過革命性的 ...

蔡司(ZEISS)今日宣布推出次微米解析度3D非破壞性的成像解決方案「蔡司Xradia 620 Versa RepScan®」,能透過檢驗與量測功能加速先進IC封裝的上市時程。Xradia 620 Versa RepScan運用3D X-ray顯微鏡(XRM),透過蔡司革命性的遠距高解析(RaaD™)技術與精密的分析軟體,能為深埋在最先進封裝內的晶片提供完整的體積與線性量測,此方法遠超過使用物理橫切面、2D X-ray及microCT等既有量測方式所能及。蔡司Xradia 620 Versa RepScan能提供更精準的資料結果,是縮短先進封裝的開發與良率學習週期最有利的機台。


圖:蔡司於 SEMICON Taiwan 推出全新 Xradia 620 Versa RepScan 解決方案加速先進半導體封裝產品上市時程

蔡司Xradia 620 Versa RepScan支援複雜的小間距3D架構之設計驗證、產品開發、製程最佳化與品保/品管(QA/QC),包含2.5D中介層(Interposer)、具備矽穿孔(TSV)與微凸塊(microbump)的高頻寬記憶體堆疊、層疊封裝(package-on-package)互連及單一堆疊中內含多晶片的超薄記憶體。


3D封裝領域面臨的量測挑戰

行動與高效裝置對於微縮以及傳輸效能的需求不斷提高,使得業界在高密度多晶片架構的許多創新,而這些設計也帶動封裝技術邁入立體化,使得製程的量測技術成為是否能推出新穎且先進技術的關鍵,而這些技術的製程寬容度(process margin)通常較低或較難被控制。然而,現今先進封裝中因目標物太小,已無法用2D X-ray與microCT這類非破壞性的方法來觀測。此外,物理橫切面除了無法提供3D立體資料之外,還屬於破壞性量測,較為耗時,通常也只能處理少量樣本,就統計層面來說,改進製程控制的成效有限。


蔡司製程控制解決方案(PCS)暨蔡司半導體製造技術(Carl Zeiss SMT)負責人Raj Jammy表示:「在3D封裝的新時代需要新的方法,在可靠的傳輸量下量測深埋在內的互連結構和其他關鍵製程,以加速新產品的上市時程。近十年來,蔡司Xradia Versa 3D XRM系統已成為半導體封裝非破壞性失效分析的標準;如今蔡司Xradia 620 Versa RepScan為這個領先業界的Versa平台增添新功能,為深埋在先進封裝內的關鍵晶片提供線性及體積量測功能,造就更好的製程、更快的學習週期及更高的良率。」


非破壞性高解析度3D量測

全新Xradia 620 Versa RepScan內含蔡司經驗證過的Versa 3D XRM功能,能用次微米解析度以非破壞性方法成像並量測深埋在結構內的晶片,並運用重建的3D資料集擷取出關鍵的3D資訊。除了能執行各種線性及體積量測之外,亦能對矽穿孔與微凸塊、銲料體積與形狀、接合線厚度、晶粒翹曲(warpage)、3D空隙分析與其他的量測進行各方面的分析,且僅需準備最少的樣本。半自動化的工作流程提供可重複的量測,確保不會因橫切面誤差導致成像遺失,並將手動操作導致的量測變異性降至最低。


蔡司Xradia 620 Versa RepScan的關鍵特色包括:

    • 能檢視與量測任何體積或任意平面中的任何物體,提供的統計數據與可重複性均勝過標準的橫切面方式。

    • 經驗證的500奈米空間解析度且最小立體像素低於40奈米,提供高於傳統microCT的解析度。

    • 蔡司革命性的遠距高解析(RaaD)技術能在樣本尺寸提高的情況下依然維持高解析度。

    • 自動放置、掃描與卸載樣品,無需人工操作。依據不同的零件尺寸,最多可同時容納70個樣本。

    • 自動傳送掃描結果至另一個工作站,並在該工作站上進行各種半自動化的量測。

    • 目前業界沒有其他自動化方法能針對先進IC封裝中的內埋晶片提供可重複的量測機制。


蔡司Xradia 620 Versa RepScan現已開始展示產品與供貨。

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