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美光與 Intel 宣佈 3D XPoint™ 共同開發計畫新進展

2018-7-19 04:44 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 411| 評論: 0|來自: 美光科技

摘要: 美光科技公司和 Intel 今日宣佈在 3D XPoint™ 合作開發計劃的最新進展,推出一個比 NAND 記憶體具備更低延遲時間且耐用性大幅增加的全新非揮發性記憶體。兩家公司已同意第二代 3D XPoint 技術開發的共同合作,預計 ...
美光科技公司(NASDAQ股票代碼:MU)和 Intel 今日宣佈了他們在 3D XPoint™ 合作開發計劃的最新進展,推出一個比 NAND 記憶體具備更低延遲時間且耐用性大幅增加的全新非揮發性記憶體。

兩家公司已同意第二代 3D XPoint 技術開發的共同合作,預計將於 2019 上半年完成。第二代 3D XPoint 技術之後更先進的技術開發將由兩家公司各自進行,以發展出最佳的技術,應因自家產品和業務的需求。 

兩家公司將在猶他州李海 (Lehi) 的Intel-Micron Flash Technologies廠 (簡稱 “IMFT”) 繼續以 3D XPoint 技術製造相關記憶體產品。

美光技術開發執行副總裁 Scott DeBoer 表示:「美光在記憶體發展上擁有 40 年的研發創新專業地位,我們將繼續推動發展下一代 3D XPoint 技術。我們對能應用此一先進技術所開發的產品感到相當興奮, 這技術將有助於我們的客戶享有獨特的記憶體和儲存性能優勢。透過獨立開發 3D XPoint 技術,美光得以為自家的產品規劃藍圖,開發出更優異的技術,並兼顧客戶和股東的最大利益。」 

Intel非揮發性記憶體解决方案事業群資深副總裁暨總經理 Rob Crooke 表示:「由於我們客戶提供顧客和資料中心市場的支援,Intel 已推出廣泛 的Optane 產品組合,並取得領導性的地位。Intel Optane 與全球最先進運算平台的直接連結在 IT 和消費應用方面已有突破性的成果。我們計劃延續這個發展動能,結合高密度 3D NAND 技術,擴大在 Optane的領先地位,為現今的運算和儲存需求提供最佳解決方案。」

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