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美高森美擴大碳化矽產品組合 提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V蕭特基勢壘二極 ...

2018-5-28 12:18 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 723| 評論: 0|來自: 美高森美

摘要: 美高森美公司宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET 和SiC二極體產品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片。將參展六月五 ...
致力於在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導體技術方案的領先供應商美高森美公司 (Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET 和SiC二極體產品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片。美高森美將參展六月五日至七日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展,在6號展廳318展位展示這些SiC解決方案以及SiC SBD/MOSFET產品系列中的其他最新器件。

美高森美繼續擴大其SiC產品系列的開發工作,已經成為向市場提供一系列Si和SiC的離散式和功率模組解決方案的少數供應商之一。這些新一代SiC MOSFET器件非常適合工業 和汽車市場中的多種應用,包括混合動力車(HEV)/電動車(EV)充電、插電/感應式車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器和電動車動力系統/牽引控制。它們也可用於醫療、航太、國防和 資料中心應用中的開關模式電源、光伏(PV)逆變器和馬達控制。

美高森美副總裁兼功率離散式器件和模組業務部門經理Leon Gross表示:「對於電動車充電、DC-DC轉換器、動力系統、醫療和工業設備以及航空驅動等應用,若要SiC解決方案快速獲得採用,這些系統中使用的元器件必須具有較高效率、安全性和可靠性水準。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二極體系列將會通過AEC-Q101資質認證以確保高可靠性水準,而且其高重複性無箝制感應開關(UIS)能力在額定電流下不會出現退化或失效,可見其穩健性。」

市場研究機構Technavio指出,用於全球半導體應用的SiC市場預計在二○二一年前達到大約5.405億美元,年複合增長率(CAGR)超過百分之十八。該公司還預測二○二一年前全球汽車半導體應用SiC器件市場的年複合增長率將達到百分之二十左右。美高森美在這些發展趨勢中處於有利地位,其SiC MOSFET和蕭特基勢壘二極體器件具有高短路耐受能力的額定雪崩性能,能夠實現穩健工作,並具有充足功能來滿足這些不斷增長的應用趨勢。

與競爭Si/SiC二極體/MOSFET和IGBT解決方案相比,美高森美下一代1200 V、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸晶片,以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有對客戶極具吸引力的巨大優勢,包括可在更高的開關頻率下實現更高效的開關運作,以及更高的雪崩/UIS額定值和更高的短路耐受額定值,從而實現穩健可靠的運作。例如,SiC MOSFET器件的開發重點是平衡特定導通電阻、低柵極電阻和熱阻,以及低柵極閾值電壓和電容,從而實現可靠的工作。這些器件針對高良率製程和低溫度範圍參數變化而設計,在高接面溫度(175°C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解決方案)工作,能夠擴展HEV/EV及其他應用中的電池系統。 

這些新器件樣品正在進行AEC-Q101認證,並已通過了其中的高溫反向偏壓(HTRB)和時間依賴性介質擊穿(TBBD)測試,證明可提供出色的柵極完整性和高柵極良率。其他主要特性包括:

    • 比競爭SiC MOSFET和GaN器件高出1.5倍至2倍的出色UIS能力,實現雪崩穩健性;
    • 比競爭SiC MOSFET器件高出1.5倍至5倍的高短路額定性能,實現更穩健的工作;
    • 針對中子敏感應,在額定電壓下的失效時間(FIT)較同類Si IGBT器件降低十倍;性能與中子輻照有關的SiC競爭產品相當;以及
    • 與Si器件相比,SiC器件具有更高的功率密度,充許尺寸更小的磁性元件/變壓器/直流母線電容器和更少的散熱元件,從而實現更緊湊的外形尺寸,降低整體系統成本。

六月五日至七日在PCIM展會6號展廳318展位進行演示
美高森美產品專家將在PCIM展會期間於公司展位上展示其下一代SiC解決方案,重點產品包括最近推出的新一代1200 V、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極體產品。

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