高通5G行動晶片 將由三星代工

高通（Qualcomm）和三星電子今天聯合宣布，雙方將在晶圓代工業務方面擴大合作，包括高通下一代5G行動晶片將採用三星7奈米LPP極紫外光（EUV）製程。三星在南韓華城的晶圓新廠明（23）日動土，將於明年下半年開始量產，以追趕台積電的晶圓事業發展。

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  高通和三星週四宣布擴大在晶圓代工業務方面的合作，高通下一代 5G 行動晶片將採用三星7奈米LPP極紫外光（EUV）製。（法新社）

高通與三星指出，透過7奈米LPP極紫外光製程，高通的驍龍（Snapdragon）5G 晶片組可減少占位空間，讓OEM 廠有更多使用空間來增加電池容量或做薄型化設計；此外，結合更先進晶片設計，將可明顯增進電池續航力。

三星7奈米製程首度導入極紫外光微影技術，預期可藉此突破摩爾定律（Moore's Law）。對照10奈米FinFET （鰭式場效電晶體）製程，三星7奈米LPP極紫外光製程工序較少、良率較高，且效能提高一成，耗電減少最多35%。

另外，三星7奈米廠本週五將動土，預計最快明年量產，但預料應該趕不上當年度Galaxy S10 與Note 10的上市時程。

對於高通5G行動晶片有意採用三星7奈米LPP極紫外光製程生產，法人表示，台積電7奈米製程今年第2季便將量產出貨，相較三星7奈米製程明年才可望量產，台積電在7奈米製程仍居領先地位。