德州儀器600V GaN FET功率級徹底改變高效能電力轉換

根植於數十年的電源管理創新經驗，德州儀器(TI)宣佈推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mÙ場效應電晶體(FET)功率級工程樣本，進而使TI成為首家、也是唯一能夠向大眾供應高壓驅動器整合的GaN解決方案的半導體廠商。與基於矽材料FET的解決方案相比，這款全新的12-A LMG3410功率級與TI的類比和數位電力轉換控制器組合在一起，能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能皆更高的設計。這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源的應用中特別重要。

TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示：「透過3百萬小時以上的可靠度測試，LMG3410讓電源設計人員能夠充滿信心地實現GaN的無限潛能，並且透過以往無法實行的方法重新思考他們的電源架構和系統。 奠基於TI在生產製造以及廣泛的系統設計專業能力，全新的功率級對整個GaN市場來說是相當重要的一步。」

LMG3410借助其整合式驅動器和零反向恢復電流等特性提供可靠的效能，特別是在硬開關(hard-switching)應用中更是如此，並能夠大幅地降低高達80%的開關損耗。與獨立的GaN FET不同，容易上手的LMG3410針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)的故障保護整合了內建智能機制。

經驗證的製造和封裝專業知識

LMG3410是第一款整合了由TI生產的GaN FET的半導體積體電路(IC)。基於多年在製造和製程技術領域上的專業，TI在其矽技術相容的工廠內創造出GaN裝置，並且透過層層測試，使這些裝置的品質超過了典型電子裝置工業委員會(JEDEC)標準的要求，以確保GaN在要求嚴格使用情況下的可靠性和穩健耐用性。易於使用的封裝將有助於增加功率因數控制器(PFC) AC/DC轉換器、高壓DC匯流排轉換器和光伏(PV)逆變器等應用中GaN電源設計的部署和採用。

LMG3410的主要特點和優勢

·   使功率密度加倍。與基於矽材料的最先進升壓功率因數轉換器相比，600V功率級在圖騰柱PFC中的功率損耗要低50%。減少的物料清單(BOM)數量和更高的效率最多可以將電源尺寸減少50%。

·   減少封裝寄生電感。與分立式GaN解決方案相比，裝置全新的8mmx8mm四方扁平無引線(QFN)封裝減少了功率損耗、組件電壓應力和電磁干擾(EMI)。

·   可實現全新拓撲。GaN的零反向恢復電荷有益於全新開關拓撲，其中包括圖騰柱PFC和LLC拓撲，以增加功率密度和效率。

拓展GaN生態系統

為了能夠讓設計人員在他們的電源設計中利用GaN技術所具有的優勢，TI更推出了全新的產品，以擴展其GaN生態系統。LMG5200POLEVM-10，一個48V至1V負載點(POL)的評估模組，將包括與80V LMG5200 GaN FET功率級配對使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。這個解決方案可以在工業、電信和資料通信應用中實現高達92%的效率。

供貨和定價

TI將提供包含有一個半橋子板和4個LMG3410 IC樣本的開發套件。而第二個套件則將包含一個系統級評估主機板。將兩個套件同步使用時，即可實現直接工作臺測試和設計。兩個開發套件均已在TI商店上架，價格分別為299和199美元。

其它資源：

·   查看TI的GaN解決方案產品組合。

·   用數位電力轉換控制器提高您的GaN體驗。

·   下載這些白皮書：

o   “用集成驅動器優化GaN性能。”

o   “基於GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC。”