意法半導體（ST）推出業界最高頻率、最大頻寬的整合微波射頻合成器 ...

意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款整合微波頻寬射頻合成器STuW81300，可在單一晶片上涵蓋1.925GHz至16GHz的射頻頻段，創下晶片市場上最大頻寬及最高頻率的紀錄。與基於III-V技術的低整合度傳統微波射頻合成器相比，STuW81300採用意法半導體其性能卓越、領先業界的BiCMOS SiGe整合製程，可實現經濟效益更高的多用途射頻架構（降低材料成本）。

STuW81300整合了N型相位鎖定迴路（PLL，phase-locked-loop）內核、低雜訊寬頻電壓控制震盪器（VCOs，voltage-controlled oscillators）及穩壓器。此外，STuW81300還提供各種可編程硬體選項，以滿足最新和未來射頻／微波應用的需求，其中包括射頻通訊、衛星通訊、基地台以及測試測量設備。

為因應微波應用市場的迅速擴張，微波頻段（6GHz以上）的使用規模正穩健地成長。市場需要成本最佳化並能夠開拓新市場的新一代射頻設備，而整合離散砷化鎵（GaAs，gallium arsenide）架構到一顆寬頻SiGe晶片內，則可滿足這一市場需求。

STuW81300的主要技術特性：

• 最寬的工作頻段，1.925GHz-16GHz（可分配給兩個射頻輸出）
• 內部頻寬匹配射頻輸出功率：+6dBm@6GHz; +4dBm@12GHz
• 倍頻輸出基本電壓控制震盪器（VCO）抑制高於20dB
• 標準化頻內（in-band）的相位雜訊（phase-noise）：-227dBc/Hz
• 電壓控制震盪器（VCO）相位雜訊（6.0GHz）：-131dBc/Hz @ 1MHz偏移
• 雜訊基準（6.0GHz）:-158dBc/Hz
• 電壓控制震盪器（VCO）相位雜訊（12.0GHz）：-125dBc/Hz @ 1MHz偏移
• 雜訊基準（12.0GHz）:-154dBc/Hz
• 0.13ps典型RMS頻率抖動

作為STW81200和STW8110x產品系列的升級（進階版）產品，新射頻合成器提供高性能及高靈活性，同時在同一電路板設計上支援多頻寬和多射頻標準。例如在衛星通訊應用中，STuW81300可直接用作本地震盪器（local oscillator），在電路板連接一個倍頻器（frequency doubler），可解調與調制Ku頻段訊號或者Ka頻段訊號。在其它應用中，STuW81300還能夠完全驅動外部電壓控制震盪器（例如GaAs）。

5V或3.6V非穩壓單一電源使STW81300在市場上獨一無二，結合了最佳化的功耗和性能，其應用範圍從傳統電力網供電基礎設施擴至低功耗應用。

意法半導體已開始向主要客戶提供STuW81300測試樣品，並獲多家客戶採用，預計於2016年開始量產。如果客戶需要，意法半導體還可提供評估套件及6x6mm方形扁平封裝（quad flat package）樣品。評估工具包括STWPLLSim軟體工具，讓開發人員能夠依照專案要求快速且準確地修改應用設計。